IRFR3910TRLPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR3910TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR3910TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRFR3910TRLPBF за ціною від 30.17 грн до 143.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR3910TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFR3910TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 135842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFR3910TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 283196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFR3910TRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 15A 115mOhm 29.3nC |
на замовлення 33652 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFR3910TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3910TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFR3910TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3910TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 72 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFR3910TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 499+ | 70.74 грн |
| 555+ | 63.67 грн |
| 1000+ | 58.71 грн |
| 10000+ | 50.48 грн |
| 100000+ | 39.15 грн |
| IRFR3910TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 135842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 499+ | 70.74 грн |
| 555+ | 63.67 грн |
| 1000+ | 58.71 грн |
| 10000+ | 50.48 грн |
| 100000+ | 39.15 грн |
| IRFR3910TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 283196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 499+ | 70.74 грн |
| 555+ | 63.67 грн |
| 1000+ | 58.71 грн |
| 10000+ | 50.48 грн |
| 100000+ | 39.15 грн |
| IRFR3910TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 15A 115mOhm 29.3nC
MOSFETs MOSFT 100V 15A 115mOhm 29.3nC
на замовлення 33652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 76.30 грн |
| 10+ | 56.05 грн |
| 100+ | 40.93 грн |
| 500+ | 37.13 грн |
| 1000+ | 30.17 грн |
| IRFR3910TRLPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3910TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRFR3910TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 143.58 грн |
| 10+ | 91.07 грн |
| IRFR3910TRLPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3910TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRFR3910TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)