IRFR3910TRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 237+ | 52.53 грн |
| 250+ | 50.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR3910TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR3910TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRFR3910TRLPBF за ціною від 33.30 грн до 89.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR3910TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAKPackaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V |
на замовлення 364238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR3910TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR3910TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 138042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR3910TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 121196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR3910TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 15A 115mOhm 29.3nC |
на замовлення 33652 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR3910TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3910TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR3910TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRFR3910TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFR3910TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFR3910TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRFR3910TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Power dissipation: 52W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |