Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR3910TRLPBF
IRFR3910TRLPBF

IRFR3910TRLPBF Infineon Technologies

irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 364238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
480+43.48 грн
Мінімальне замовлення: 480
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3910TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR3910TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IRFR3910TRLPBF за ціною від 27.14 грн до 78.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR3910TRLPBF IRFR3910TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3910TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.49 грн
500+36.89 грн
1000+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRLPBF IRFR3910TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3910-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
499+61.01 грн
Мінімальне замовлення: 499
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRLPBF IRFR3910TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3910-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 138042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
499+61.01 грн
Мінімальне замовлення: 499
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRLPBF IRFR3910TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3910-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 121196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
499+61.01 грн
Мінімальне замовлення: 499
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRLPBF IRFR3910TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3910TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+77.74 грн
14+61.13 грн
100+49.49 грн
500+36.89 грн
1000+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRLPBF IRFR3910TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR3910_DataSheet_v01_01_EN-3363411.pdf MOSFETs MOSFT 100V 15A 115mOhm 29.3nC
на замовлення 33652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.73 грн
10+57.83 грн
100+42.23 грн
500+38.32 грн
1000+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRLPBF IRFR3910TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3910-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRLPBF IRFR3910TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3910-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRLPBF IRFR3910TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr3910pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRLPBF IRFR3910TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRLPBF IRFR3910TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRLPBF IRFR3910TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr3910pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.