Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR3910TRPBF
IRFR3910TRPBF

IRFR3910TRPBF Infineon Technologies

irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+32.77 грн
4000+29.24 грн
6000+28.06 грн
10000+25.09 грн
14000+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3910TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRFR3910TRPBF за ціною від 27.30 грн до 128.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3910datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.75 грн
4000+33.72 грн
6000+33.38 грн
10000+31.88 грн
14000+28.65 грн
20000+27.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3910datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.83 грн
4000+33.78 грн
6000+33.45 грн
10000+31.94 грн
14000+28.71 грн
20000+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF INFINEON INFN-S-A0012837754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3910TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.51 грн
500+38.70 грн
1000+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3910pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+75.67 грн
8+60.27 грн
10+53.50 грн
50+38.09 грн
100+33.10 грн
250+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF INFINEON INFN-S-A0012837754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3910TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.26 грн
50+73.68 грн
100+52.51 грн
500+38.70 грн
1000+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3910datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+99.98 грн
144+98.63 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3910datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+109.73 грн
162+87.58 грн
226+62.53 грн
500+50.00 грн
1000+42.03 грн
2000+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Infineon Technologies irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 19054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.09 грн
10+71.46 грн
100+47.77 грн
500+35.27 грн
1000+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR3910_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 115mOhms 29.3nC
на замовлення 16180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.07 грн
10+77.24 грн
100+44.66 грн
500+35.16 грн
1000+32.07 грн
2000+28.27 грн
4000+27.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3910datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.46 грн
10+99.98 грн
25+98.63 грн
100+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF infineonirfr3910datasheetv0101en.pdf
IRFR3910TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+35.75 грн
4000+33.72 грн
6000+33.38 грн
10000+31.88 грн
14000+28.65 грн
20000+27.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF infineonirfr3910datasheetv0101en.pdf
IRFR3910TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+35.83 грн
4000+33.78 грн
6000+33.45 грн
10000+31.94 грн
14000+28.71 грн
20000+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF INFN-S-A0012837754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3910TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3910TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+52.51 грн
500+38.70 грн
1000+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF irfr3910pbf.pdf
IRFR3910TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+75.67 грн
8+60.27 грн
10+53.50 грн
50+38.09 грн
100+33.10 грн
250+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF INFN-S-A0012837754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3910TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3910TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+79.26 грн
50+73.68 грн
100+52.51 грн
500+38.70 грн
1000+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF infineonirfr3910datasheetv0101en.pdf
IRFR3910TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
142+99.98 грн
144+98.63 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF infineonirfr3910datasheetv0101en.pdf
IRFR3910TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
129+109.73 грн
162+87.58 грн
226+62.53 грн
500+50.00 грн
1000+42.03 грн
2000+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df
IRFR3910TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 19054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+117.09 грн
10+71.46 грн
100+47.77 грн
500+35.27 грн
1000+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF Infineon_IRFR3910_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFR3910TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 115mOhms 29.3nC
на замовлення 16180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+123.07 грн
10+77.24 грн
100+44.66 грн
500+35.16 грн
1000+32.07 грн
2000+28.27 грн
4000+27.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF infineonirfr3910datasheetv0101en.pdf
IRFR3910TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+128.46 грн
10+99.98 грн
25+98.63 грн
100+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.