IRFR3910TRPBF

IRFR3910TRPBF Infineon Technologies


irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+30.96 грн
4000+27.63 грн
6000+26.51 грн
10000+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3910TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRFR3910TRPBF за ціною від 26.24 грн до 120.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3910datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+31.56 грн
4000+26.52 грн
6000+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3910datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+33.37 грн
4000+28.04 грн
6000+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr3910pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+50.05 грн
50+42.76 грн
100+36.67 грн
500+32.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3910TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.42 грн
500+38.63 грн
1000+32.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3910datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
193+67.62 грн
195+66.94 грн
245+53.08 грн
Мінімальне замовлення: 193
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3910datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+72.46 грн
25+71.72 грн
100+54.84 грн
250+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3910datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
179+72.86 грн
200+72.25 грн
500+58.48 грн
1000+54.63 грн
2000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3910TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+79.12 грн
50+73.55 грн
100+52.42 грн
500+38.63 грн
1000+32.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 20850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.56 грн
10+67.53 грн
100+45.12 грн
500+33.32 грн
1000+30.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR3910_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 115mOhms 29.3nC
на замовлення 7944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.39 грн
10+75.64 грн
100+43.52 грн
500+36.78 грн
1000+33.56 грн
2000+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3910datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.