IRFR3910TRPBF

IRFR3910TRPBF Infineon Technologies


infineon-irfr3910-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3910TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRFR3910TRPBF за ціною від 25.57 грн до 99.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3910-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+25.97 грн
4000+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3910-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+28.21 грн
4000+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+28.86 грн
4000+27.21 грн
6000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3910-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3910-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3910-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+43.37 грн
17+37.62 грн
25+37.30 грн
100+31.48 грн
250+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3910TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.10 грн
500+38.93 грн
1000+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 13174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.22 грн
10+50.34 грн
100+38.23 грн
500+30.24 грн
1000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr3910pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 52W
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+79.78 грн
10+51.40 грн
28+31.67 грн
77+29.93 грн
1000+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3910-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
145+84.39 грн
219+55.83 грн
237+51.36 грн
500+38.03 грн
1000+34.20 грн
2000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr3910pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 52W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.73 грн
10+64.05 грн
28+38.01 грн
77+35.92 грн
1000+34.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3910TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+96.87 грн
50+73.26 грн
100+52.10 грн
500+38.93 грн
1000+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR3910_DataSheet_v01_01_EN-3363411.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 115mOhms 29.3nC
на замовлення 14204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.90 грн
10+66.84 грн
100+40.49 грн
500+32.80 грн
1000+29.46 грн
2000+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3910-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF Виробник : Infineon irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df Транз. Пол. БМ N-MOSFET DPAK Udss=100V; Id=16 A; Pdmax=79 W; Rds=0,115 Ohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.94 грн
10+72.66 грн
100+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.