Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR3910TRPBF
IRFR3910TRPBF

IRFR3910TRPBF Infineon Technologies

irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+32.26 грн
4000+28.79 грн
6000+27.63 грн
10000+24.70 грн
14000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3910TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRFR3910TRPBF за ціною від 26.93 грн до 118.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3910datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+33.29 грн
4000+27.98 грн
6000+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3910datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+33.74 грн
4000+28.35 грн
6000+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3910TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.69 грн
500+38.10 грн
1000+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3910datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+72.29 грн
25+71.56 грн
100+54.72 грн
250+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3910datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
193+72.29 грн
195+71.56 грн
245+56.74 грн
Мінімальне замовлення: 193
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr3910pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+74.48 грн
8+59.33 грн
10+52.66 грн
50+37.50 грн
100+32.58 грн
250+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3910datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
179+77.89 грн
200+77.24 грн
500+62.51 грн
1000+58.40 грн
2000+53.09 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3910TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.02 грн
50+72.53 грн
100+51.69 грн
500+38.10 грн
1000+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 19771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.26 грн
10+70.35 грн
100+47.02 грн
500+34.72 грн
1000+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR3910_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 115mOhms 29.3nC
на замовлення 7944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.72 грн
10+74.60 грн
100+42.92 грн
500+36.27 грн
1000+33.09 грн
2000+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3910datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF Виробник : International Rectifier irfr3910pbf.pdf N-кан. HEXFET Power MOSFET, 100V, D-Pak Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.