IRFR4104TRLPBF Infineon Technologies


001018.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
247+114.29 грн
500+102.86 грн
1000+94.86 грн
Мінімальне замовлення: 247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR4104TRLPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc).

Інші пропозиції IRFR4104TRLPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR4104TRLPBF IRFR4104TRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR4104_DataSheet_v01_01_EN-3363374.pdf MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 59nC
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRLPBF Infineon_IRFR4104_DataSheet_v01_01_EN-3363374.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 59nC
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.