Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR4104TRPBF
IRFR4104TRPBF

IRFR4104TRPBF Infineon Technologies

irfr4104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563207e320e6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+30.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR4104TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 5500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 140W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm.

Інші пропозиції IRFR4104TRPBF за ціною від 30.43 грн до 154.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.82 грн
4000+38.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.22 грн
4000+43.65 грн
6000+41.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.23 грн
4000+43.65 грн
6000+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.17 грн
14+56.54 грн
25+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Infineon Technologies irfr4104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563207e320e6 Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
на замовлення 4043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.61 грн
10+67.97 грн
100+45.28 грн
500+33.37 грн
1000+30.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR4104TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Drain current: 119A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: DPAK
Mounting: SMD
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+124.17 грн
10+73.30 грн
25+61.77 грн
100+52.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+154.54 грн
160+88.13 грн
200+80.27 грн
500+68.01 грн
1000+58.62 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF INFINEON IRSDS11292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 5500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 4793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR4104_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 40V 119A 5.5mOhm 59nC Qg
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF INFINEON IRSDS11292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 5500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 4793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF 001018.pdf
IRFR4104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+43.82 грн
4000+38.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF 001018.pdf
IRFR4104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+45.22 грн
4000+43.65 грн
6000+41.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF 001018.pdf
IRFR4104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+45.23 грн
4000+43.65 грн
6000+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF 001018.pdf
IRFR4104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+66.17 грн
14+56.54 грн
25+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF irfr4104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563207e320e6
IRFR4104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
на замовлення 4043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.61 грн
10+67.97 грн
100+45.28 грн
500+33.37 грн
1000+30.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF.pdf
IRFR4104TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Drain current: 119A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: DPAK
Mounting: SMD
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+124.17 грн
10+73.30 грн
25+61.77 грн
100+52.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF 001018.pdf
IRFR4104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
91+154.54 грн
160+88.13 грн
200+80.27 грн
500+68.01 грн
1000+58.62 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRSDS11292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR4104TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 5500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 4793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF Infineon_IRFR4104_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFR4104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 119A 5.5mOhm 59nC Qg
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF 001018.pdf
IRFR4104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRSDS11292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR4104TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 5500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 4793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.