Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR4104TRPBF
IRFR4104TRPBF

IRFR4104TRPBF Infineon Technologies

001018.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
367+34.47 грн
1000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 367
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR4104TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 5500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR4104TRPBF за ціною від 33.22 грн до 137.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr4104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563207e320e6 Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+39.43 грн
4000+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+42.08 грн
4000+36.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : INFINEON irfr4104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563207e320e6 Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 5500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.38 грн
500+49.25 грн
1000+42.16 грн
5000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+61.20 грн
14+51.65 грн
25+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR4104_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 40V 119A 5.5mOhm 59nC Qg
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.80 грн
10+62.45 грн
100+48.31 грн
500+42.40 грн
1000+39.29 грн
2000+34.98 грн
4000+33.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : INFINEON irfr4104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563207e320e6 Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 5500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+123.62 грн
13+70.32 грн
100+60.38 грн
500+49.25 грн
1000+42.16 грн
5000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr4104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563207e320e6 Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
на замовлення 3758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.35 грн
10+83.93 грн
100+56.42 грн
500+41.89 грн
1000+38.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr4104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563207e320e6 IRFR4104TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.12 грн
17+70.87 грн
46+66.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.