Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR4104TRPBF
IRFR4104TRPBF

IRFR4104TRPBF Infineon Technologies

001018.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
367+33.91 грн
1000+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 367
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR4104TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 5500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR4104TRPBF за ціною від 32.30 грн до 133.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr4104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563207e320e6 Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+36.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+38.79 грн
4000+34.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+41.39 грн
4000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : INFINEON irfr4104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563207e320e6 Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 5500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.70 грн
500+47.87 грн
1000+40.98 грн
5000+33.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+60.20 грн
14+50.81 грн
25+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDD0D220F9975EA&compId=IRFR4104TRPBF.pdf?ci_sign=830393c4e09abe5762fb941f8c9c6d4ae5a4c9c8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 140W
Drain current: 119A
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+73.15 грн
10+51.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDD0D220F9975EA&compId=IRFR4104TRPBF.pdf?ci_sign=830393c4e09abe5762fb941f8c9c6d4ae5a4c9c8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 140W
Drain current: 119A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.78 грн
10+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR4104_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 40V 119A 5.5mOhm 59nC Qg
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.69 грн
10+60.71 грн
100+46.97 грн
500+41.22 грн
1000+38.20 грн
2000+34.00 грн
4000+32.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : INFINEON irfr4104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563207e320e6 Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 5500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+120.18 грн
13+68.36 грн
100+58.70 грн
500+47.87 грн
1000+40.98 грн
5000+33.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr4104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563207e320e6 Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
на замовлення 3758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.52 грн
10+81.60 грн
100+54.85 грн
500+40.73 грн
1000+37.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.