Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR4104TRPBF
IRFR4104TRPBF

IRFR4104TRPBF Infineon Technologies

001018.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
367+33.27 грн
1000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 367
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR4104TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.0055 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR4104TRPBF за ціною від 31.68 грн до 103.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+35.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr4104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563207e320e6 Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+36.99 грн
4000+33.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+38.06 грн
4000+33.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+40.61 грн
4000+35.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+59.06 грн
14+49.85 грн
25+36.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDD0D220F9975EA&compId=IRFR4104TRPBF.pdf?ci_sign=830393c4e09abe5762fb941f8c9c6d4ae5a4c9c8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 119A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.30 грн
10+52.36 грн
25+50.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr4104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563207e320e6 Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
на замовлення 4858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.33 грн
10+57.84 грн
100+46.25 грн
500+40.33 грн
1000+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS11292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.0055 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+96.55 грн
13+65.96 грн
100+52.72 грн
500+43.72 грн
1000+38.08 грн
5000+32.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFR4104-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 40V 119A 5.5mOhm 59nC Qg
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.30 грн
10+60.61 грн
100+45.17 грн
500+40.44 грн
1000+37.47 грн
2000+33.66 грн
4000+31.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDD0D220F9975EA&compId=IRFR4104TRPBF.pdf?ci_sign=830393c4e09abe5762fb941f8c9c6d4ae5a4c9c8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 119A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.55 грн
10+65.25 грн
25+60.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.