IRFR4104TRRPBF

IRFR4104TRRPBF Infineon Technologies


irfr4104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563207e320e6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR4104TRRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції IRFR4104TRRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR4104TRRPBF IRFR4104TRRPBF Виробник : Infineon / IR Infineon_IRFR4104_DataSheet_v01_01_EN-1732692.pdf MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 59nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.