Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFR4105PBF
IRFR4105PBF

IRFR4105PBF

irfr4105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632110f20e9
Код товару: 2752
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-252/D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 27 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,045 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 700/34
Монтаж: SMD
у наявності: 46 шт
  • 8 шт - склад
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+24.50 грн
10+21.80 грн
100+19.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR4105PBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 25A, D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:25A
  • On State Resistance:0.045ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Alternate Case Style:D-PAK
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:10.5mm
  • External Length / Height:2.55mm
  • External Width:6.8mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:2.7`C/W
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:46W
  • Power Dissipation Pd:46W
  • Pulse Current Idm:100A
  • SMD Marking:IRFR5104
  • Transistor Case Style:D-PAK

Інші пропозиції IRFR4105PBF за ціною від 22.74 грн до 124.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Infineon Technologies irfr4105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632110f20e9 Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+26.72 грн
6000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Infineon Technologies irfr4105pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+36.06 грн
4000+31.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Infineon Technologies irfr4105pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+36.06 грн
4000+31.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Infineon Technologies irfr4105pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.28 грн
18+42.21 грн
100+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Infineon Technologies irfr4105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632110f20e9 Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 7750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.90 грн
10+59.88 грн
50+44.55 грн
100+37.16 грн
500+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Infineon Technologies irfr4105pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+120.52 грн
228+62.11 грн
258+54.77 грн
500+42.70 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Infineon Technologies irfr4105pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.65 грн
12+64.24 грн
100+56.65 грн
500+44.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR4105_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 22.7nC
на замовлення 11954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 2071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Infineon Technologies irfr4105pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 2071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBF irfr4105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632110f20e9
IRFR4105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+26.72 грн
6000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBF irfr4105pbf.pdf
IRFR4105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+36.06 грн
4000+31.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBF irfr4105pbf.pdf
IRFR4105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+36.06 грн
4000+31.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBF irfr4105pbf.pdf
IRFR4105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+56.28 грн
18+42.21 грн
100+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBF irfr4105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632110f20e9
IRFR4105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 7750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.90 грн
10+59.88 грн
50+44.55 грн
100+37.16 грн
500+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBF irfr4105pbf.pdf
IRFR4105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
118+120.52 грн
228+62.11 грн
258+54.77 грн
500+42.70 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBF irfr4105pbf.pdf
IRFR4105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+124.65 грн
12+64.24 грн
100+56.65 грн
500+44.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBF Infineon_IRFR4105_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFR4105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 22.7nC
на замовлення 11954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBF INFN-S-A0012838794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR4105TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 2071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBF irfr4105pbf.pdf
IRFR4105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBF INFN-S-A0012838794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR4105TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 2071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

22uF 35V size-D 10% (T491D226K035AT – Kemet)
Код товару: 26311
Додати до обраних Обраний товар
Datasheet-T491D226K035AT.pdf
22uF 35V size-D 10% (T491D226K035AT – Kemet)
Виробник: Kemet
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 22 мкФ
Номінальна напруга: 35 В
Точність: ±20%
Типорозмір: Size-D
УКТЗЕД: 8532 21 00 00
товару немає в наявності
очікується: 1000 шт
  • 1000 шт - очікується 26.09.2026
КількістьЦіна без ПДВ
2+19.00 грн
10+17.20 грн
100+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Клемник DG142R-5.08-02P-14-00Z(H)
Код товару: 21959
2 Додати до обраних Обраний товар
DG142R.pdf
Клемник DG142R-5.08-02P-14-00Z(H)
Виробник: Degson
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
Короткий опис: крок: 5,08мм, к-сть контактів: 02P, напруга/струм: 300V/10A, під провід: 22-16AWG 1,5мм.кв
Крок, мм: 5,08 мм
К-сть контактів: 2
Тип роз’єму: Безгвинтовий клемник з важелем на плату
Номінальний струм: 10 А
у наявності: 2812 шт
  • 2526 шт - склад
  • 89 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 96 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 101 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
3+8.00 грн
10+7.00 грн
100+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1uF 35V size-B 10% (TAJB105K035R-AVX) (конденсатор танталовий SMD)
Код товару: 18282
1 Додати до обраних Обраний товар
AVX tantalum cap_datasheet.pdf
1uF 35V size-B 10% (TAJB105K035R-AVX) (конденсатор танталовий SMD)
Виробник: AVX
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 1 мкФ
Номінальна напруга: 35 В
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-B
УКТЗЕД: 8532 21 00 00
у наявності: 539 шт
  • 401 шт - склад
  • 58 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
4+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.90 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
51 Ohm 5% 2W вив. (MOR200SJTB-51R-Hitano)
Код товару: 12346
1 Додати до обраних Обраний товар
MOR_080911.pdf
51 Ohm 5% 2W вив. (MOR200SJTB-51R-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 2W
Номінал: 51 Ом
Точність і ТКО: ±5%
P ном., Вт: 2 Вт
U роб., В: 500 В
Габарити: 11x4,0 mm; Ø виводу = 0,76 mm
Тип: метало-оксидні мініатюрні
-55...+125°С
УКТЗЕД: 8533 21 00 00
у наявності: 269 шт
  • 126 шт - склад
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 84 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 1000 шт
  • 1000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.50 грн
100+2.00 грн
1000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104STRPBF
Код товару: 11413
3 Додати до обраних Обраний товар
description ir2104-65702.pdf
IR2104STRPBF
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SO-8
Напруга живлення Uc, В: 600 В
Вихідний струм Io ±, А: 0,13/0,27 А
Вихідна напруга Vout, В: 10-20 В
Час вмик./вимк. Ton/Toff, ns: 680/150 ns
Робоча температура, °С: -40…+125°С
Конфігурація: Напівміст
у наявності: 81 шт
  • 58 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 107 шт
  • 100 шт - очікується 05.10.2026
  • 7 шт - очікується
на замовлення: 11 шт
  • 11 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+68.50 грн
10+61.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.