IRFR4105PBF
Код товару: 2752
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-252/D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 27 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,045 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 700/34
Монтаж: SMD
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 24.50 грн |
| 10+ | 21.80 грн |
| 100+ | 19.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR4105PBF IR
- MOSFET, N, 55V, 25A, D-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:55V
- Cont Current Id:25A
- On State Resistance:0.045ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:DPAK
- Termination Type:SMD
- Alternate Case Style:D-PAK
- Current Temperature:25`C
- External Depth:10.5mm
- External Length / Height:2.55mm
- External Width:6.8mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:2.7`C/W
- Max Voltage Vds:55V
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:46W
- Power Dissipation Pd:46W
- Pulse Current Idm:100A
- SMD Marking:IRFR5104
- Transistor Case Style:D-PAK
Інші пропозиції IRFR4105PBF за ціною від 22.18 грн до 96.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR4105TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR4105TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR4105TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR4105TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR4105TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
на замовлення 7950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR4105TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRFR4105TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRFR4105TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 22.7nC |
на замовлення 1622 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRFR4105TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFR4105TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 26.06 грн |
| 4000+ | 23.16 грн |
| 6000+ | 22.18 грн |
| IRFR4105TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 27.40 грн |
| IRFR4105TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 292+ | 48.23 грн |
| IRFR4105TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 194+ | 72.74 грн |
| 260+ | 54.18 грн |
| IRFR4105TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 96.22 грн |
| 10+ | 58.41 грн |
| 100+ | 38.63 грн |
| 500+ | 28.28 грн |
| 1000+ | 25.71 грн |
| IRFR4105TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR4105TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR4105TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 22.7nC
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 22.7nC
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFR4105TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| IR2101S Код товару: 14591
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SO-8
Напруга живлення Uc, В: 600 В
Вихідний струм Io ±, А: 0,13/0,27 А
Вихідна напруга Vout, В: 10-20 В
Час вмик./вимк. Ton/Toff, ns: 160/150 ns
Робоча температура, °С: -40…+125°С
Конфігурація: Напівміст
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SO-8
Напруга живлення Uc, В: 600 В
Вихідний струм Io ±, А: 0,13/0,27 А
Вихідна напруга Vout, В: 10-20 В
Час вмик./вимк. Ton/Toff, ns: 160/150 ns
Робоча температура, °С: -40…+125°С
Конфігурація: Напівміст
у наявності: 35 шт
- 14 шт - склад
- 21 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 38.00 грн |
| 10+ | 34.20 грн |
| ST-010/R Клема червона Код товару: 30580
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Ninigi
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клеми
Опис: Клема ножова на провід
Призначення: Ізольовані конектори
Розріз провода та ін.розміри: 0,5...1 мм²
Колір: червоний
Розмір: 6,3 мм
Монтаж: На провід
Тип наконечника: Плоский
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клеми
Опис: Клема ножова на провід
Призначення: Ізольовані конектори
Розріз провода та ін.розміри: 0,5...1 мм²
Колір: червоний
Розмір: 6,3 мм
Монтаж: На провід
Тип наконечника: Плоский
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 3.10 грн |
| 100+ | 2.70 грн |
| 1000+ | 2.40 грн |
| Клема ножова 6,35мм червона KLS8-01115-MDD1.25-250 Код товару: 98347
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клеми
Опис: Клема-тато ножова 0,8х6,35мм; під провід 0,5-1, 5мм.кв. (AWG22-16), IMax = 15A; колір ізолятора - червоний
Призначення: Ізольовані конектори
Розріз провода та ін.розміри: 0,5...1,5 мм²
Колір: червоний
Розмір: 6,3 мм
Монтаж: На провід
Тип наконечника: Плоский
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клеми
Опис: Клема-тато ножова 0,8х6,35мм; під провід 0,5-1, 5мм.кв. (AWG22-16), IMax = 15A; колір ізолятора - червоний
Призначення: Ізольовані конектори
Розріз провода та ін.розміри: 0,5...1,5 мм²
Колір: червоний
Розмір: 6,3 мм
Монтаж: На провід
Тип наконечника: Плоский
у наявності: 2247 шт
- 1584 шт - склад
- 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 190 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 200 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 270 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 12+ | 1.70 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| Роз'єм GX16-8 (KLS15-225-M16-8F1) Код товару: 161383
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Авіаційні роз'єми
Тип: GX16 Роз'єми промислові IP55
Опис: Вилка на кабель (з’єднувальна різьба М16) 8-і контактна, контакти - гнізда; 5А, 125V; довжина 35,8мм, макс. діаметр 18мм; вологозахист клас IP55. Відповідна частина купується окремо: KLS15-225-M16-8M1 і подібні
Гніздо або штекер: Вилка
К-сть контактів: 8
Вид: на кабель
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Авіаційні роз'єми
Тип: GX16 Роз'єми промислові IP55
Опис: Вилка на кабель (з’єднувальна різьба М16) 8-і контактна, контакти - гнізда; 5А, 125V; довжина 35,8мм, макс. діаметр 18мм; вологозахист клас IP55. Відповідна частина купується окремо: KLS15-225-M16-8M1 і подібні
Гніздо або штекер: Вилка
К-сть контактів: 8
Вид: на кабель
товару немає в наявності
очікується: 800 шт
- 800 шт - очікується 15.08.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 44.00 грн |
| 10+ | 39.60 грн |
| 100+ | 35.80 грн |
| 1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-1KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1768
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 50697 шт
- 43890 шт - склад
- 4007 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 200 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 2600 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 100000 шт
- 100000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |













