Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFR4105ZPBF Infineon

IRFR4105ZPBF Infineon

Name: IRFR4105ZPBF
Brand: Infineon
SKU: 177671
Price: 24.50 UAH
Availability: BackOrder

irfr4105zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356321faf20ee

Код товару: 177671

Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Infineon
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 21 A
Rds(on), Ohm: 24,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/18
Монтаж: SMD

товару немає в наявності

Кількість	Ціна
1+	24.50 грн
10+	21.80 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRFR4105ZPBF Infineon

MOSFET, N, D-PAK
Transistor Type:MOSFET
Transistor Polarity:N
Typ Voltage Vds:55V
Cont Current Id:30A
On State Resistance:0.0245ohm
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Typ Voltage Vgs th:4V
Case Style:DPAK
Termination Type:SMD
Alternate Case Style:TO-252
Current Temperature:25`C
External Depth:10.5mm
External Length / Height:2.55mm
External Width:6.8mm
Full Power Rating Temperature:25`C
Max Power Dissipation Ptot:48W
Max Voltage Vds:55V
No. of Pins:3
No. of Transistors:1
Power Dissipation:48W
Power Dissipation Pd:48W
Pulse Current Idm:120A
SMD Marking:IRFR4105ZPBF
Transistor Case Style:D-PAK

Інші пропозиції IRFR4105ZPBF

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IRFR4105ZPBF	Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS	Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR4105ZPBF - IRFR4105 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)	на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
IRFR4105ZPBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
IRFR4105ZPBF	Виробник : Infineon Technologies	MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 24.5mOhms 18nC	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.