IRFR4105ZTRPBF INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRFR4105ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.019 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 53.68 грн |
| 500+ | 39.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR4105ZTRPBF INFINEON
Description: INFINEON - IRFR4105ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.019 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFR4105ZTRPBF за ціною від 29.28 грн до 87.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR4105ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR4105ZTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR4105ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.019 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR4105ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 30A 24.5mOhm 18nC Qg |
на замовлення 3012 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR4105ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRFR4105ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRFR4105ZTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 30A Power dissipation: 48W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRFR4105ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRFR4105ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRFR4105ZTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 30A Power dissipation: 48W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |