IRFR4510TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 43.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR4510TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR4510TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0139 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 143W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFR4510TRPBF за ціною від 40.84 грн до 125.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR4510TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N CH 100V 56A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR4510TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR4510TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR4510TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR4510TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR4510TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR4510TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR4510TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0139 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 143W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR4510TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC |
на замовлення 2028 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR4510TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 100V 56A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V |
на замовлення 19350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR4510TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRFR4510TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 252A; 143W; DPAK Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 252A Drain current: 45A On-state resistance: 13.9mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 143W Case: DPAK Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |