Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR4510TRPBF
IRFR4510TRPBF

IRFR4510TRPBF Infineon Technologies

Infineon_IRFR4510_DataSheet_v01_01_EN-3363282.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.46 грн
10+86.23 грн
100+54.79 грн
500+48.11 грн
1000+45.29 грн
2000+39.57 грн
4000+39.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR4510TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR4510TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0139 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 143W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm.

Інші пропозиції IRFR4510TRPBF за ціною від 62.43 грн до 186.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR4510TRPBF IRFR4510TRPBF Infineon Technologies irg7ph35udpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.23 грн
10+126.90 грн
100+100.32 грн
500+88.59 грн
1000+65.69 грн
4000+62.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510TRPBF IRFR4510TRPBF Infineon Technologies irg7ph35udpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+186.23 грн
116+126.90 грн
146+100.32 грн
500+88.59 грн
1000+65.69 грн
4000+62.43 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510TRPBF IRFR4510TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838862-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR4510TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0139 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510TRPBF irg7ph35udpbf.pdf
IRFR4510TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+186.23 грн
10+126.90 грн
100+100.32 грн
500+88.59 грн
1000+65.69 грн
4000+62.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510TRPBF irg7ph35udpbf.pdf
IRFR4510TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
79+186.23 грн
116+126.90 грн
146+100.32 грн
500+88.59 грн
1000+65.69 грн
4000+62.43 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510TRPBF INFN-S-A0012838862-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR4510TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR4510TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0139 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.