IRFR4615TRLPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 44.02 грн |
| 6000+ | 42.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR4615TRLPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 33A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 144W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50.
Інші пропозиції IRFR4615TRLPBF за ціною від 39.07 грн до 154.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR4615TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR4615TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR4615TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR4615TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR4615TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg |
на замовлення 32357 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR4615TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR4615TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 33A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 |
на замовлення 13002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR4615TRLPBF Код товару: 189386 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
IRFR4615TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFR4615TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFR4615TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRFR4615TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFR4615TRLPBF SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |