Технічний опис IRFR4620TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.078 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 144W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRFR4620TRLPBF за ціною від 49.90 грн до 235.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 24A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR4620TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.078 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR4620TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Drain current: 24A Power dissipation: 144W |
на замовлення 2151 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg |
на замовлення 7544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR4620TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.078 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 24A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V |
на замовлення 18546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFR4620TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 61.95 грн |
| 6000+ | 55.98 грн |
| 9000+ | 54.11 грн |
| IRFR4620TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 69.36 грн |
| 6000+ | 68.67 грн |
| 9000+ | 67.98 грн |
| IRFR4620TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 69.41 грн |
| 6000+ | 68.72 грн |
| 9000+ | 68.03 грн |
| IRFR4620TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.078 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFR4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.078 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 92.92 грн |
| 500+ | 66.89 грн |
| 1500+ | 59.42 грн |
| IRFR4620TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 104+ | 137.11 грн |
| 107+ | 132.45 грн |
| 250+ | 128.43 грн |
| 500+ | 120.48 грн |
| 1000+ | 108.83 грн |
| 2500+ | 102.16 грн |
| IRFR4620TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 97+ | 147.19 грн |
| 98+ | 145.72 грн |
| 137+ | 103.63 грн |
| 250+ | 98.93 грн |
| 500+ | 73.50 грн |
| 1000+ | 56.01 грн |
| IRFR4620TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 94+ | 150.85 грн |
| IRFR4620TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 167.20 грн |
| 10+ | 108.60 грн |
| 25+ | 90.78 грн |
| 50+ | 80.60 грн |
| 100+ | 71.27 грн |
| 250+ | 62.78 грн |
| 500+ | 57.69 грн |
| 1000+ | 55.99 грн |
| IRFR4620TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
MOSFETs MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
на замовлення 7544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 189.95 грн |
| 10+ | 120.77 грн |
| 100+ | 71.89 грн |
| 500+ | 57.73 грн |
| 1000+ | 52.86 грн |
| 3000+ | 49.90 грн |
| IRFR4620TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.078 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFR4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.078 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 203.93 грн |
| 50+ | 131.57 грн |
| 100+ | 92.92 грн |
| 500+ | 66.89 грн |
| 1500+ | 59.42 грн |
| IRFR4620TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 18546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 214.09 грн |
| 10+ | 132.48 грн |
| 100+ | 90.60 грн |
| 500+ | 68.23 грн |
| 1000+ | 62.83 грн |
| IRFR4620TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 229.51 грн |
| 10+ | 147.19 грн |
| 25+ | 145.72 грн |
| 100+ | 99.93 грн |
| 250+ | 91.60 грн |
| 500+ | 70.56 грн |
| 1000+ | 56.01 грн |
| IRFR4620TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 235.39 грн |
| 10+ | 150.95 грн |
| 100+ | 106.27 грн |







