IRFR4620TRLPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 53.52 грн |
| 9000+ | 47.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR4620TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.078 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 144W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm.
Інші пропозиції IRFR4620TRLPBF за ціною від 55.87 грн до 243.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR4620TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 24A Power dissipation: 144W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 24A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V |
на замовлення 17300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg |
на замовлення 9763 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRFR4620TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.078 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 144W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm |
на замовлення 4320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRFR4620TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.078 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 144W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm |
на замовлення 4320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFR4620TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 75.37 грн |
| 9000+ | 69.73 грн |
| IRFR4620TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 76.41 грн |
| 9000+ | 70.70 грн |
| IRFR4620TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 104+ | 136.80 грн |
| 107+ | 132.15 грн |
| 250+ | 128.15 грн |
| 500+ | 120.21 грн |
| 1000+ | 108.59 грн |
| IRFR4620TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 89+ | 159.33 грн |
| IRFR4620TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 168.27 грн |
| 100+ | 115.08 грн |
| 500+ | 92.07 грн |
| 1000+ | 81.32 грн |
| IRFR4620TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 178.68 грн |
| 10+ | 116.82 грн |
| 25+ | 99.04 грн |
| 50+ | 87.19 грн |
| 100+ | 77.88 грн |
| 500+ | 60.10 грн |
| 1000+ | 55.87 грн |
| IRFR4620TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 17300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 184.34 грн |
| 10+ | 114.28 грн |
| 50+ | 87.00 грн |
| 100+ | 73.39 грн |
| 500+ | 58.93 грн |
| IRFR4620TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 67+ | 212.79 грн |
| 119+ | 118.98 грн |
| 133+ | 106.20 грн |
| 500+ | 83.46 грн |
| 1000+ | 69.95 грн |
| IRFR4620TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 243.89 грн |
| 10+ | 159.33 грн |
| 25+ | 123.82 грн |
| 100+ | 66.05 грн |
| IRFR4620TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
MOSFETs MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
на замовлення 9763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFR4620TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.078 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
Description: INFINEON - IRFR4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.078 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR4620TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.078 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
Description: INFINEON - IRFR4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.078 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






