IRFR5305PBF International Rectifier/Infineon
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 26.77 грн |
| 25+ | 24.99 грн |
| 100+ | 21.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR5305PBF International Rectifier/Infineon
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR5305PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFR5305/PBF |
на замовлення 5080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| IRFR5305PBF |
IRFR5305PBF Транзисторы |
на замовлення 109 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
|||
|
IRFR5305PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|
|
IRFR5305PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|
| IRFR5305PBF | Виробник : International Rectifier |
P-ch. DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
|
IRFR5305PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
IRFR5305PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC |
товару немає в наявності |


