IRFR5305TRPBF


irfr5305.pdf
Код товару: 4177
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 25 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+31.00 грн
10+27.80 грн
100+24.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR5305TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Continuous Drain Current, Id:-31A
  • Drain Source Voltage, Vds:-55V
  • On Resistance, Rds(on):65mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V
  • Power Dissipation, Pd:110W

Можливі заміни IRFR5305TRPBF IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR5305TR IRFR5305TR
Код товару: 185048
Додати до обраних Обраний товар
Infineon Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 25 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується: 112 шт
  • 112 шт - очікується
1+40.00 грн
10+35.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR
Код товару: 185048
Додати до обраних Обраний товар
Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 25 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується: 112 шт
  • 112 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+40.00 грн
10+35.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRFR5305TRPBF за ціною від 18.02 грн до 104.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.87 грн
4000+24.80 грн
6000+23.76 грн
10000+21.20 грн
14000+20.55 грн
20000+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.02 грн
4000+39.82 грн
6000+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.02 грн
4000+39.82 грн
6000+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.89 грн
4000+40.62 грн
6000+38.96 грн
10000+35.77 грн
14000+32.13 грн
20000+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.10 грн
4000+40.84 грн
6000+39.16 грн
10000+35.95 грн
14000+32.30 грн
20000+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+89.73 грн
165+85.73 грн
250+82.28 грн
500+76.49 грн
1000+68.51 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.06 грн
100+67.37 грн
500+52.89 грн
1000+46.51 грн
2000+39.57 грн
4000+35.16 грн
6000+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 49015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.06 грн
10+62.02 грн
100+41.11 грн
500+30.17 грн
1000+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
на замовлення 37764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838531-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR5305TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 46543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF Infineon IRFR5305PBF-IRFU5305PBF.pdf description P-ch. DPAK TO-252 Транзистори
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
13+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TR UMW TIRFR5305_UMW_UMW_0001.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TR UMW TIRFR5305_UMW_UMW_0001.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TR UMW TIRFR5305_UMW_UMW_0001.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TR JGSEMI info-tirfr5305.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 20A; 25W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR JGSEMI TIRFR5305 JGS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TR Infineon info-tirfr5305.pdf Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 22713 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TR Infineon info-tirfr5305.pdf Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TR Infineon info-tirfr5305.pdf Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TR Infineon info-tirfr5305.pdf Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TR Infineon info-tirfr5305.pdf Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TR Infineon info-tirfr5305.pdf Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies irgb4062dpbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+101.06 грн
210+67.37 грн
500+52.89 грн
1000+46.51 грн
2000+39.57 грн
4000+35.16 грн
6000+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+104.24 грн
10+61.55 грн
25+51.95 грн
100+40.95 грн
200+36.73 грн
500+32.26 грн
1000+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+27.87 грн
4000+24.80 грн
6000+23.76 грн
10000+21.20 грн
14000+20.55 грн
20000+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description irgb4062dpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+43.02 грн
4000+39.82 грн
6000+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description irgb4062dpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+43.02 грн
4000+39.82 грн
6000+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description irgb4062dpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+43.89 грн
4000+40.62 грн
6000+38.96 грн
10000+35.77 грн
14000+32.13 грн
20000+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description irgb4062dpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+44.10 грн
4000+40.84 грн
6000+39.16 грн
10000+35.95 грн
14000+32.30 грн
20000+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description irgb4062dpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
158+89.73 грн
165+85.73 грн
250+82.28 грн
500+76.49 грн
1000+68.51 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description irgb4062dpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+101.06 грн
100+67.37 грн
500+52.89 грн
1000+46.51 грн
2000+39.57 грн
4000+35.16 грн
6000+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 49015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.06 грн
10+62.02 грн
100+41.11 грн
500+30.17 грн
1000+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
на замовлення 37764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description INFN-S-A0012838531-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5305TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 46543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description IRFR5305PBF-IRFU5305PBF.pdf
Виробник: Infineon
P-ch. DPAK TO-252 Транзистори
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR TIRFR5305_UMW_UMW_0001.pdf
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR TIRFR5305_UMW_UMW_0001.pdf
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR TIRFR5305_UMW_UMW_0001.pdf
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR info-tirfr5305.pdf
Виробник: JGSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 20A; 25W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR JGSEMI TIRFR5305 JGS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR info-tirfr5305.pdf
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 22713 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR info-tirfr5305.pdf
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR info-tirfr5305.pdf
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR info-tirfr5305.pdf
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR info-tirfr5305.pdf
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR info-tirfr5305.pdf
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description irgb4062dpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
140+101.06 грн
210+67.37 грн
500+52.89 грн
1000+46.51 грн
2000+39.57 грн
4000+35.16 грн
6000+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description irfr5305pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+104.24 грн
10+61.55 грн
25+51.95 грн
100+40.95 грн
200+36.73 грн
500+32.26 грн
1000+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.