| Фото |
Назва |
Виробник |
Інформація |
В наявності/на замовлення |
Ціна |
 |
IRFR5305TRPBF
код товару: 4177 |
IR |
Категорія: Електронні компоненти та комплектуючі - Активні компоненти - Транзистори - Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
|
6 шт - у магазині РАДІОМАГ-Київ
11 шт - у магазині РАДІОМАГ-Львів
5 шт - у магазині РАДІОМАГ-Харків
7 шт - у магазині РАДІОМАГ-Дніпро |
| 1+ | 13.5 грн | | 10+ | 12.3 грн | | 100+ | 11.1 грн |
|
|
|
IRFR5305TRPBF |
International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 31 A; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 пФ @ 25 В; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 65 мОм @ 16 А; 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; DPAK
|
на замовлення 30 шт 
термін постачання 2-3 дні (днів) |
| 21+ | 16.8 грн | | 22+ | 14.48 грн | | 24+ | 12.72 грн |
|
|
|
IRFR5305TRPBF |
Infineon |
IRFR5305TRPBF, Ркан -55В -28А DPak
кількість в упаковці: 75 шт
|
на замовлення 950 шт 
термін постачання 3-7 дней дні (днів) |
|
 |
IRFR5305TRPBF |
Infineon Technologies Americas Corp. |
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK; Supplier Device Package : D-Pak; Package / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63; Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -55°C ~ 175°C (TJ); Power - Max : 110W; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 1200pF @ 25V; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 63nC @ 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 16A, 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 31A (Tc); Drain to Source Voltage (Vdss) : 55V; FET Feature : Standard; FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide
|
на замовлення 15418 шт
термін постачання 5-15 дні (днів) |
|
|
|
IRFR5305TRPBF |
Infineon Technologies Americas Corp. |
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK; Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -55°C ~ 175°C (TJ); Power - Max : 110W; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 1200pF @ 25V; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 63nC @ 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 16A, 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 31A (Tc); Drain to Source Voltage (Vdss) : 55V; FET Feature : Standard; FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide; Supplier Device Package : D-Pak; Package / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
|
на замовлення 15418 шт
термін постачання 5-15 дні (днів) |
|
|
|
IRFR5305TRPBF |
Infineon Technologies Americas Corp. |
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK; Supplier Device Package : D-Pak; Package / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63; Mounting Type : Surface Mount; FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide; Operating Temperature : -55°C ~ 175°C (TJ); Power - Max : 110W; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 1200pF @ 25V; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 63nC @ 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 16A, 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 31A (Tc); Drain to Source Voltage (Vdss) : 55V; FET Feature : Standard
|
на замовлення 14000 шт
термін постачання 5-15 дні (днів) |
|
|
|
IRFR5305TRPBF |
IRF |
D-Pak Полевой транзистор, P-канальный, 55 В, 31 А Китай
|
на замовлення 1308 шт
термін постачання 8-10 дней дні (днів) |
|
|
|
IRFR5305TRPBF |
'IR' |
'Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R'
кількість в упаковці: 2000 шт
|
на замовлення 100000 шт 
термін постачання 14-28 дні (днів) |
|
|
|
IRFR5305TRPBF |
IR |
09+
|
на замовлення 15000 шт
термін постачання 14-28 дні (днів) |
|
|
|
IRFR5305TRPBF |
IR |
|
на замовлення 4000 шт
термін постачання 14-28 дні (днів) |
|
 |
IRFR5305TRPBF |
Infineon Technologies |
MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
|
на замовлення 1238 шт
термін постачання 14-20 дні (днів) |
| 1+ | 49.25 грн | | 10+ | 35.86 грн | | 100+ | 27.54 грн | | 500+ | 24.33 грн | | 2000+ | 17.08 грн |
|
|
|
IRFR5305TRPBF |
IR |
09+ DIP
|
на замовлення 1000 шт
термін постачання 14-28 дні (днів) |
|
|
|
IRFR5305TRPBF |
|
IRFR5305 HEXFET POWER MOSFET SNGL P-CH -55V 31A DPAK
|
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|
|
IRFR5305TRPBF |
|
|
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|