
IRFR5305TR Infineon

Код товару: 185048
Виробник: InfineonКорпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
у наявності 982 шт:
900 шт - склад
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 40.00 грн |
10+ | 35.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFR5305TR за ціною від 17.86 грн до 126.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFR5305TRPBF Код товару: 4177
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
![]() Корпус: D-Pak Uds,V: 55 V Id,A: 25 A Rds(on),Om: 0,065 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 20330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR5305TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 89W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD |
на замовлення 3842 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR5305TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 89W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3842 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR5305TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 70671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 55125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRFR5305TR | Виробник : UMW |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305TR | Виробник : JGSEMI |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305TR | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 29440 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305TR | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305TR | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 14930 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305TR | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305TR | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 1420 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
![]() |
на замовлення 321 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
IRFR5305TR | Виробник : UMW |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
IRLML6402TRPBF Код товару: 27968
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 194 шт
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
51 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
72 шт - РАДІОМАГ-Одеса
42 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
51 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
72 шт - РАДІОМАГ-Одеса
42 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 9.00 грн |
10+ | 8.00 грн |
100+ | 7.20 грн |
1000+ | 6.50 грн |
B340A-13-F Код товару: 28101
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: DIODES
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMA (DO-214AC)
Зворотня напруга, Vrrm: 40 V
Прямий струм (per leg), If: 3 A
Падіння напруги, Vf: 0,5 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 80 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMA (DO-214AC)
Зворотня напруга, Vrrm: 40 V
Прямий струм (per leg), If: 3 A
Падіння напруги, Vf: 0,5 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 80 A
у наявності: 1594 шт
1270 шт - склад
150 шт - РАДІОМАГ-Львів
70 шт - РАДІОМАГ-Харків
77 шт - РАДІОМАГ-Одеса
27 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
150 шт - РАДІОМАГ-Львів
70 шт - РАДІОМАГ-Харків
77 шт - РАДІОМАГ-Одеса
27 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 3.50 грн |
10+ | 3.00 грн |
100+ | 2.90 грн |
1000+ | 2.70 грн |
470pF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N471J1HL2-L-Hitano) Код товару: 2902
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 470 pF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: NP0
Точність: ±5% J
Крок: 2,54 mm
Part Number: R15N471J1HL-2L
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 470 pF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: NP0
Точність: ±5% J
Крок: 2,54 mm
Part Number: R15N471J1HL-2L
у наявності: 2814 шт
2471 шт - склад
59 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
112 шт - РАДІОМАГ-Харків
100 шт - РАДІОМАГ-Одеса
50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
59 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
112 шт - РАДІОМАГ-Харків
100 шт - РАДІОМАГ-Одеса
50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
100 шт
100 шт - очікується
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 2.80 грн |
100+ | 2.40 грн |
1000+ | 2.10 грн |
150 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-150R-Hitano) (S) Код товару: 13740
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 150 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 150 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
товару немає в наявності
очікується:
5000 шт
5000 шт - очікується 28.08.2025
Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 0.70 грн |
100+ | 0.55 грн |
1000+ | 0.40 грн |
10 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10K-Hitano) Код товару: 13787
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
товару немає в наявності
очікується:
40000 шт
40000 шт - очікується 28.08.2025
Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 0.70 грн |
100+ | 0.55 грн |
1000+ | 0.40 грн |