Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRFR5305TRPBF
IRFR5305TRPBF

IRFR5305TRPBF

irfr5305.pdf
Код товару: 4177
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 25 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+31.00 грн
10+27.80 грн
100+24.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR5305TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Continuous Drain Current, Id:-31A
  • Drain Source Voltage, Vds:-55V
  • On Resistance, Rds(on):65mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V
  • Power Dissipation, Pd:110W

Можливі заміни IRFR5305TRPBF IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR5305TR IRFR5305TR
Код товару: 185048
Додати до обраних Обраний товар
Infineon Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 25 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується: 550 шт
  • 50 шт - очікується 28.10.2026
  • 500 шт - очікується 28.10.2026
1+40.00 грн
10+35.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR
Код товару: 185048
Додати до обраних Обраний товар
Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFR5305TR
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 25 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується: 550 шт
  • 50 шт - очікується 28.10.2026
  • 500 шт - очікується 28.10.2026
КількістьЦіна без ПДВ
1+40.00 грн
10+35.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRFR5305TRPBF за ціною від 23.26 грн до 147.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+90.53 грн
165+86.49 грн
250+83.02 грн
500+77.17 грн
1000+69.12 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 101879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.59 грн
10+62.17 грн
50+46.35 грн
100+38.70 грн
500+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf description MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
на замовлення 74239 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+111.77 грн
10+51.81 грн
100+40.08 грн
500+31.30 грн
1000+30.86 грн
2000+26.11 грн
4000+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TR Infineon info-tirfr5305.pdf Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TR Infineon info-tirfr5305.pdf Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TR Infineon info-tirfr5305.pdf Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TR Infineon info-tirfr5305.pdf Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 22913 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.96 грн
6000+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+118.90 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838531-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR5305TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 40804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR5305TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
158+90.53 грн
165+86.49 грн
250+83.02 грн
500+77.17 грн
1000+69.12 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf
IRFR5305TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 101879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.59 грн
10+62.17 грн
50+46.35 грн
100+38.70 грн
500+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf
IRFR5305TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
на замовлення 74239 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.77 грн
10+51.81 грн
100+40.08 грн
500+31.30 грн
1000+30.86 грн
2000+26.11 грн
4000+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR5305TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+147.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR info-tirfr5305.pdf
IRFR5305TR
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR info-tirfr5305.pdf
IRFR5305TR
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR info-tirfr5305.pdf
IRFR5305TR
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR info-tirfr5305.pdf
IRFR5305TR
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 22913 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf
IRFR5305TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+27.96 грн
6000+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR5305TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR5305TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR5305TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
120+118.90 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description INFN-S-A0012838531-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR5305TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5305TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 40804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRFR5305TR
Код товару: 185048
Додати до обраних Обраний товар
Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFR5305TR
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 25 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується: 550 шт
  • 50 шт - очікується 28.10.2026
  • 500 шт - очікується 28.10.2026
КількістьЦіна без ПДВ
1+40.00 грн
10+35.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55-C15
Код товару: 30714
1 Додати до обраних Обраний товар
BZX55.pdf
BZX55-C15
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації Vz, В: 15 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 11,3 мВ/K
товару немає в наявності
очікується: 2000 шт
  • 2000 шт - очікується 28.10.2026
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
14+1.50 грн
100+1.25 грн
1000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55-C6V2
Код товару: 30482
1 Додати до обраних Обраний товар
BZX55.pdf
BZX55-C6V2
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації Vz, В: 6,2 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 2,2 мВ/K
у наявності: 5 шт
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 95 шт
  • 95 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+4 грн
10+2.00 грн
16+1.30 грн
100+1.00 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7,5 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-7K5R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 4560
Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
7,5 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-7K5R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 7,5 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 12380 шт
  • 10700 шт - склад
  • 1680 шт - РАДІОМАГ-Київ
на замовлення: 4768 шт
  • 4768 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
8,2 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-8K2-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1787
Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
8,2 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-8K2-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 8,2 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 176 шт
  • 176 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 20000 шт
  • 20000 шт - очікується
на замовлення: 1200 шт
  • 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
176+0.12 грн
200+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.