IRFR5305TRPBF (IR) - Транзисторы - Полевые P-канальные

IRFR5305TRPBF

Код товара: 4177

Производитель: IR
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD

В наличии/под заказ
3 шт - РАДИОМАГ-Киев
10 шт - РАДИОМАГ-Львов
10 шт - РАДИОМАГ-Харьков
13 шт - РАДИОМАГ-Одесса
10 шт - РАДИОМАГ-Днепр

1+	19 грн
10+	17.8 грн

Техническое описание IRFR5305TRPBF

MOSFET
Transistor Type:MOSFET
Continuous Drain Current, Id:-31A
Drain Source Voltage, Vds:-55V
On Resistance, Rds(on):65mohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V
Power Dissipation, Pd:110W

Цена IRFR5305TRPBF от 11.7 грн до 29.09 грн

IRFR5305TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

под заказ 540000 шт
срок поставки 7-21 дня (дней)

2000+	11.7 грн

IRFR5305TR
Производитель: INFINEON
P-MOSFET 28A 55V 89W 0.065? Trans. IRFR5305 TO252 TIRFR5305
количество в упаковке: 40 шт

под заказ 240 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)

40+	16 грн

IRFR5305TR
Производитель: INFINEON
P-MOSFET 28A 55V 89W 0.065? Trans. IRFR5305 TO252 TIRFR5305
количество в упаковке: 40 шт

под заказ 40 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)

40+	16 грн

IRFR5305TR
Производитель: IR
P-MOSFET 28A 55V 89W 0.065? Trans. IRFR5305 TO252 TIRFR5305
количество в упаковке: 50 шт

под заказ 2160 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)

50+	16 грн

IRFR5305TR
Производитель: INFINEON
P-MOSFET 28A 55V 89W 0.065? Trans. IRFR5305 TO252 TIRFR5305
количество в упаковке: 50 шт

под заказ 10000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)

50+	16 грн

IRFR5305TRPBF
Производитель: INFIN

irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff

под заказ 21580 шт
срок поставки 16-23 дня (дней)

14+	29.09 грн
22+	26.51 грн
124+	22.84 грн
518+	21.7 грн

IRFR5305TRPBF
Производитель:
IRFR5305 HEXFET POWER MOSFET SNGL P-CH -55V 31A DPAK

товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

IRFR5305TRPBF
Производитель: International Rectifier Corporation
P-ch. DPAK

под заказ 43 шт
срок поставки 4 дня (дней)

IRFR5305TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Supplier Device Package: D-Pak
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)

товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

IRFR5305TRPBF
Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES
Material: IRFR5305TRPBF SMD P channel transistors

товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

IRFR5305TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Дополнительная плата за катушку в размере $7)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package: D-Pak
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)

товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

IRFR5305TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package: D-Pak
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V

товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

IRFR5305TRPBF
Производитель: Infineon / IR
MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC

Infineon_IRFR5305_DataSheet_v01_01_EN-1732717.pdf

под заказ 71956 шт
срок поставки 8-21 дня (дней)

IRFR5305TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

IRFR5305TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

IRFR5305TRPBF
Производитель: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5305TRPBF - P CHANNEL MOSFET, -55V, 31A, D-PAK
Transistor Polarity: P Channel
On Resistance Rds(on): 0.065
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 110
Continuous Drain Current Id: 31
Operating Temperature Max: 175
Transistor Mounting: Surface Mount
MSL: MSL 1 - Unlimited
Automotive Qualification Standard: -
Threshold Voltage Vgs: 4
Drain Source Voltage Vds: 55
Transistor Case Style: TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10
No. of Pins: 3
SVHC: To Be Advised

товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

IRFR5305TRPBF
Производитель: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5305TRPBF - Power MOSFET, P Channel, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Surface Mount
Transistor Polarity: P Channel
On Resistance Rds(on): 0.065
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 110
Continuous Drain Current Id: 31
Operating Temperature Max: 175
Transistor Mounting: Surface Mount
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
Threshold Voltage Vgs: 4
Drain Source Voltage Vds: 55
Transistor Case Style: TO-252AA
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10
No. of Pins: 3
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

С этим товаром покупают

SCS-8 (ICVT-8P) (панель для м/с)
Код товара: 24961

Производитель: NINIGI
Разъемы, клеммники, соединители - Панели для микросхем
Краткое функциональное описание: Панель DIP-8
Кол-во контактов: 8
Тип панельки: DIP стандартные

39 шт - РАДИОМАГ-Киев
23 шт - РАДИОМАГ-Львов
30 шт - РАДИОМАГ-Харьков
31 шт - РАДИОМАГ-Одесса
2 шт - РАДИОМАГ-Днепр
2000 шт - ожидается 24.10.2021

4+	1.5 грн
10+	1.3 грн
100+	0.7 грн
1000+	0.4 грн

Возможные замены

SCS-8 панель для м/с KLS1-216-08
Код товара: 98394

IRFR5305PBF
Код товара: 2560

Производитель: IR
Транзисторы - Полевые P-канальные
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD

56 шт - склад Киев
2 шт - РАДИОМАГ-Киев
1 шт - РАДИОМАГ-Львов
7 шт - РАДИОМАГ-Харьков
14 шт - РАДИОМАГ-Одесса
29 шт - РАДИОМАГ-Днепр

под заказ 5430 шт - цена и срок поставки

1+	15 грн
10+	13.5 грн
100+	11.9 грн

STM32F103C8T6
Код товара: 37645

Производитель: ST
Микросхемы - Микроконтроллеры
Тип корпуса: LQFP-48
Краткое описание: 32-bit Microcontroller with 64KB Flash,72MHz
Питание, В: 2,0...3,6 V
Тип ядра: ARM® Cortex®-M3
Разрядность: 32-Bit
Частота: 72MHz
Рабочая температура, °С: -40…+85°C

1N4007 (DO-41, Yangjie)
Код товара: 1574

Производитель: YJ/Microsemi
Диоды, диодные мосты, стабилитроны - Диоды выпрямительные и импульсные
Корпус: DO-41
Uобр., V (RRM): 1000 V
Iвыпр., A (If): 1 A
Описание: Выпрямительный
Может заменить: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
Монтаж: THT
Падение напряжения Vf: 1,1 V

50000 шт - склад Киев

10+	0.5 грн
20+	0.44 грн
100+	0.38 грн
1000+	0.29 грн
10000+	0.24 грн

Возможные замены

1N4007 (DO-41, Diotec)
Код товара: 127801

Возможные замены

1N4007
Код товара: 176822