Інші пропозиції IRFR540ZTRLPBF за ціною від 35.85 грн до 136.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR540ZTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRFR540ZTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRFR540ZTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRFR540ZTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRFR540ZTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFR540ZTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 36.49 грн |
| 6000+ | 36.14 грн |
| 9000+ | 35.85 грн |
| IRFR540ZTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 36.50 грн |
| 6000+ | 36.15 грн |
| 9000+ | 35.86 грн |
| IRFR540ZTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 51.54 грн |
| 1000+ | 46.20 грн |
| IRFR540ZTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 51.56 грн |
| 1000+ | 46.22 грн |
| IRFR540ZTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 136.87 грн |
| 10+ | 83.50 грн |




