Продукція > INFINEON > IRFR540ZTRPBF
IRFR540ZTRPBF

IRFR540ZTRPBF Infineon

irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102
Виробник: Infineon
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK Транзистори
на замовлення 100 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+50.48 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 4-5 дні (днів)
Мінімальна партія: 16 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR540ZTRPBF Infineon

Description: INFINEON - IRFR540ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 91W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFR540ZTRPBF за ціною від 37.14 грн до 128.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF Infineon Technologies irfr540z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+71.99 грн
547+64.79 грн
1000+59.75 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF Infineon Technologies irfr540z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+71.99 грн
547+64.79 грн
1000+59.75 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF Infineon Technologies irfr540z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+71.99 грн
547+64.79 грн
1000+59.75 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF Infineon Technologies irfr540z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+71.99 грн
547+64.79 грн
1000+59.75 грн
10000+51.38 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF Infineon Technologies irfr540z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.46 грн
10+85.40 грн
100+63.61 грн
500+51.35 грн
1000+44.36 грн
2000+39.70 грн
4000+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF Infineon Technologies irfr540z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+120.18 грн
165+85.92 грн
222+63.99 грн
500+51.66 грн
1000+44.63 грн
2000+39.94 грн
4000+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF Infineon Technologies irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102 Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.24 грн
10+78.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR540ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR540ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBF irfr540z.pdf
IRFR540ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
493+71.99 грн
547+64.79 грн
1000+59.75 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBF irfr540z.pdf
IRFR540ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
493+71.99 грн
547+64.79 грн
1000+59.75 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBF irfr540z.pdf
IRFR540ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
493+71.99 грн
547+64.79 грн
1000+59.75 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBF irfr540z.pdf
IRFR540ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
493+71.99 грн
547+64.79 грн
1000+59.75 грн
10000+51.38 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBF irfr540z.pdf
IRFR540ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+119.46 грн
10+85.40 грн
100+63.61 грн
500+51.35 грн
1000+44.36 грн
2000+39.70 грн
4000+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBF irfr540z.pdf
IRFR540ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
118+120.18 грн
165+85.92 грн
222+63.99 грн
500+51.66 грн
1000+44.63 грн
2000+39.94 грн
4000+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBF irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102
IRFR540ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.24 грн
10+78.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBF INFN-S-A0012837732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR540ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR540ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBF INFN-S-A0012837732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR540ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR540ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.