IRFR540ZTRPBF Infineon Technologies
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 28.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR540ZTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR540ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 91W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFR540ZTRPBF за ціною від 25.53 грн до 126.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR540ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFR540ZTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR540ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 91W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFR540ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR540ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR540ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR540ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR540ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 30909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR540ZTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR540ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 91W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFR540ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 35A 28.5mOhm 39nC Qg |
на замовлення 21333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR540ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V |
на замовлення 5539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRFR540ZTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IRFR540ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK |
на замовлення 5140 шт: термін постачання 5 дні (днів) |