IRFR5410PBF ROCHESTER ELECTRONICS
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR5410PBF - IRFR5410 100V SINGLE P-CHANNEL POWER MO
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 37100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 154+ | 157.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR5410PBF ROCHESTER ELECTRONICS
Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 66W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Discontinued at Digi-Key, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR5410PBF за ціною від 155.19 грн до 171.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR5410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 38945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFR5410PBF Код товару: 37144
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
 |
IRFR5410PBF | Виробник : IR - ASA only Supplier |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IRFR5410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IRFR5410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IRFR5410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC |
товару немає в наявності |