Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRFR5410TRPBF

IRFR5410TRPBF

irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107
Код товару: 185744
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR5410TRPBF

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:P Channel
  • C

Інші пропозиції IRFR5410TRPBF за ціною від 22.74 грн до 118.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 description Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.12 грн
6000+23.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+37.02 грн
4000+36.65 грн
6000+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+37.02 грн
4000+36.65 грн
6000+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 106000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.58 грн
4000+47.60 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 106000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.68 грн
4000+47.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+96.38 грн
154+92.07 грн
250+88.38 грн
500+82.15 грн
1000+73.58 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 description Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 19237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.33 грн
10+60.61 грн
50+45.14 грн
100+37.65 грн
500+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.15 грн
10+81.42 грн
25+80.60 грн
50+61.02 грн
100+50.93 грн
250+48.41 грн
500+37.06 грн
1000+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+118.15 грн
174+81.42 грн
176+80.60 грн
224+61.02 грн
248+50.93 грн
251+48.41 грн
500+37.06 грн
1000+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5410pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+118.31 грн
10+66.59 грн
100+47.22 грн
250+41.76 грн
500+38.24 грн
1000+35.14 грн
2000+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 description MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC
на замовлення 16771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 66W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
на замовлення 25992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 66W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
на замовлення 25992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF International Rectifier/Infineon irfr5410pbf.pdf description P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 13 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 760, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 205 мОм @ 7,8 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 66, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 588 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 588 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107
IRFR5410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+27.12 грн
6000+23.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+37.02 грн
4000+36.65 грн
6000+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+37.02 грн
4000+36.65 грн
6000+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 106000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+50.58 грн
4000+47.60 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 106000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+50.68 грн
4000+47.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
147+96.38 грн
154+92.07 грн
250+88.38 грн
500+82.15 грн
1000+73.58 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107
IRFR5410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 19237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.33 грн
10+60.61 грн
50+45.14 грн
100+37.65 грн
500+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+118.15 грн
10+81.42 грн
25+80.60 грн
50+61.02 грн
100+50.93 грн
250+48.41 грн
500+37.06 грн
1000+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
120+118.15 грн
174+81.42 грн
176+80.60 грн
224+61.02 грн
248+50.93 грн
251+48.41 грн
500+37.06 грн
1000+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+118.31 грн
10+66.59 грн
100+47.22 грн
250+41.76 грн
500+38.24 грн
1000+35.14 грн
2000+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107
IRFR5410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC
на замовлення 16771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR5410TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 66W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
на замовлення 25992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR5410TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 66W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
на замовлення 25992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 13 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 760, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 205 мОм @ 7,8 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 66, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 588 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 588 шт
В кошику  од. на суму  грн.