Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR5410TRPBF
IRFR5410TRPBF

IRFR5410TRPBF Infineon Technologies

irfr5410pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+26.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR5410TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFR5410TRPBF за ціною від 28.45 грн до 137.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
356+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 356
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+35.74 грн
4000+31.94 грн
6000+30.67 грн
10000+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+38.69 грн
4000+37.05 грн
10000+33.79 грн
24000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+40.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+41.44 грн
4000+39.69 грн
10000+36.20 грн
24000+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.37 грн
500+42.12 грн
1000+35.37 грн
5000+29.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
128+99.73 грн
134+95.26 грн
250+91.45 грн
500+85.00 грн
1000+76.13 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+120.96 грн
12+80.31 грн
100+57.37 грн
500+42.12 грн
1000+35.37 грн
5000+29.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC
на замовлення 8151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.87 грн
10+83.15 грн
100+50.66 грн
500+40.04 грн
1000+36.39 грн
2000+31.40 грн
4000+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 26337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.07 грн
10+77.22 грн
100+51.79 грн
500+38.37 грн
1000+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF
Код товару: 185744
Додати до обраних Обраний товар

irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 IRFR5410TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.89 грн
27+44.89 грн
72+42.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 13 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 760; Qg, нКл = 58 @ 10 В; Rds = 205 мОм @ 7,8 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 66; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D-PAK
на замовлення 693 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.