Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRFR5410TRPBF

IRFR5410TRPBF

irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107
Код товару: 185744
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR5410TRPBF

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:P Channel
  • C

Інші пропозиції IRFR5410TRPBF за ціною від 19.17 грн до 116.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 description Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+26.88 грн
4000+23.90 грн
6000+22.89 грн
10000+20.41 грн
14000+19.78 грн
20000+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
420+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.82 грн
4000+46.15 грн
6000+45.68 грн
10000+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.82 грн
4000+46.15 грн
6000+45.68 грн
10000+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.86 грн
4000+46.16 грн
6000+45.70 грн
10000+39.15 грн
14000+35.87 грн
20000+34.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.39 грн
4000+46.65 грн
6000+46.18 грн
10000+39.55 грн
14000+36.24 грн
20000+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+96.38 грн
154+92.07 грн
250+88.38 грн
500+82.15 грн
1000+73.58 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 description Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 21793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.19 грн
10+60.07 грн
100+39.76 грн
500+29.14 грн
1000+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5410pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3913 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+116.97 грн
10+65.83 грн
100+46.68 грн
250+41.29 грн
500+37.81 грн
1000+34.74 грн
2000+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 description MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC
на замовлення 20217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 27895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 27895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF International Rectifier/Infineon irfr5410pbf.pdf description P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 13 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 760, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 205 мОм @ 7,8 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 66, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 588 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 588 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107
IRFR5410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+26.88 грн
4000+23.90 грн
6000+22.89 грн
10000+20.41 грн
14000+19.78 грн
20000+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
420+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+50.82 грн
4000+46.15 грн
6000+45.68 грн
10000+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+50.82 грн
4000+46.15 грн
6000+45.68 грн
10000+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+50.86 грн
4000+46.16 грн
6000+45.70 грн
10000+39.15 грн
14000+35.87 грн
20000+34.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+51.39 грн
4000+46.65 грн
6000+46.18 грн
10000+39.55 грн
14000+36.24 грн
20000+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
147+96.38 грн
154+92.07 грн
250+88.38 грн
500+82.15 грн
1000+73.58 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107
IRFR5410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 21793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.19 грн
10+60.07 грн
100+39.76 грн
500+29.14 грн
1000+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3913 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+116.97 грн
10+65.83 грн
100+46.68 грн
250+41.29 грн
500+37.81 грн
1000+34.74 грн
2000+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107
IRFR5410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC
на замовлення 20217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR5410TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 27895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR5410TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 27895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 13 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 760, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 205 мОм @ 7,8 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 66, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 588 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 588 шт
В кошику  од. на суму  грн.