Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR5410TRPBF
IRFR5410TRPBF

IRFR5410TRPBF Infineon Technologies

irfr5410pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR5410TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR5410TRPBF за ціною від 26.71 грн до 134.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 218000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+35.15 грн
4000+28.79 грн
6000+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 218000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 38760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.27 грн
500+45.12 грн
1000+38.27 грн
5000+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+74.38 грн
11+56.92 грн
25+56.47 грн
100+48.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
160+76.83 грн
209+58.85 грн
211+58.36 грн
500+50.44 грн
1000+44.22 грн
2000+39.16 грн
4000+30.26 грн
8000+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
145+84.94 грн
152+81.14 грн
250+77.89 грн
500+72.40 грн
1000+64.85 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4D45D2323F1A303005056AB0C4F&compId=irfr5410pbf.pdf?ci_sign=35e831315d487b5d5818b7c8c15b727500ec9831 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.47 грн
10+72.07 грн
34+28.30 грн
92+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF
Код товару: 185744
Додати до обраних Обраний товар

irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 38760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.33 грн
11+79.24 грн
100+60.27 грн
500+45.12 грн
1000+38.27 грн
5000+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR5410_DataSheet_v01_01_EN-3363345.pdf MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC
на замовлення 4124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.64 грн
10+82.38 грн
100+52.19 грн
500+41.25 грн
1000+37.65 грн
2000+34.75 грн
4000+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.46 грн
10+83.15 грн
100+58.26 грн
500+43.40 грн
1000+39.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4D45D2323F1A303005056AB0C4F&compId=irfr5410pbf.pdf?ci_sign=35e831315d487b5d5818b7c8c15b727500ec9831 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.96 грн
10+89.81 грн
34+33.96 грн
92+32.05 грн
4000+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-100V; Id=-13A; Pdmax=66W; Rds=0,205 Ohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 13 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 760; Qg, нКл = 58 @ 10 В; Rds = 205 мОм @ 7,8 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 66; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D-PAK
на замовлення 693 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.