Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR5410TRPBF
IRFR5410TRPBF

IRFR5410TRPBF Infineon Technologies

irfr5410pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR5410TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR5410TRPBF за ціною від 26.14 грн до 119.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+34.37 грн
4000+30.71 грн
6000+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
341+35.62 грн
380+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 341
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 142000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+37.84 грн
4000+34.48 грн
6000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+40.71 грн
4000+37.09 грн
6000+36.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 37933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.68 грн
500+44.48 грн
1000+37.53 грн
5000+32.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
145+84.13 грн
152+80.37 грн
250+77.14 грн
500+71.70 грн
1000+64.23 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4D45D2323F1A303005056AB0C4F&compId=irfr5410pbf.pdf?ci_sign=35e831315d487b5d5818b7c8c15b727500ec9831 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 66W
Drain current: -13A
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+97.49 грн
10+62.98 грн
25+55.33 грн
34+27.70 грн
91+26.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 10467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.16 грн
10+70.23 грн
100+49.80 грн
500+36.90 грн
1000+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF
Код товару: 185744
Додати до обраних Обраний товар

irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4D45D2323F1A303005056AB0C4F&compId=irfr5410pbf.pdf?ci_sign=35e831315d487b5d5818b7c8c15b727500ec9831 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 66W
Drain current: -13A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.98 грн
10+78.48 грн
25+66.39 грн
34+33.24 грн
91+31.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC
на замовлення 20704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.99 грн
10+77.02 грн
100+47.87 грн
500+37.83 грн
1000+34.39 грн
2000+31.76 грн
4000+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 37933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+119.34 грн
11+83.20 грн
100+60.68 грн
500+44.48 грн
1000+37.53 грн
5000+32.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 13 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 760; Qg, нКл = 58 @ 10 В; Rds = 205 мОм @ 7,8 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 66; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D-PAK
на замовлення 693 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.