Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR5410TRRPBF
IRFR5410TRRPBF

IRFR5410TRRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR5410TRRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 66W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR5410TRRPBF за ціною від 43.94 грн до 164.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+54.11 грн
6000+51.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+58.04 грн
6000+55.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
360+88.02 грн
500+79.20 грн
1000+73.05 грн
10000+62.80 грн
Мінімальне замовлення: 360
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
360+88.02 грн
500+79.20 грн
1000+73.05 грн
10000+62.80 грн
Мінімальне замовлення: 360
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 26mOhms 70nC
на замовлення 4435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.48 грн
10+99.41 грн
100+67.16 грн
500+53.63 грн
1000+50.83 грн
3000+43.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.51 грн
10+101.47 грн
100+68.99 грн
500+51.68 грн
1000+49.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBF Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS10174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR5410TRRPBF - IRFR5410 - HEXFET POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+66.09 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.