Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR5410TRRPBF
IRFR5410TRRPBF

IRFR5410TRRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR5410TRRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 66W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR5410TRRPBF за ціною від 41.83 грн до 141.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+52.94 грн
6000+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+56.83 грн
6000+54.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
360+85.77 грн
500+77.18 грн
1000+71.19 грн
10000+61.20 грн
Мінімальне замовлення: 360
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
360+85.77 грн
500+77.18 грн
1000+71.19 грн
10000+61.20 грн
Мінімальне замовлення: 360
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 2819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.81 грн
10+89.36 грн
100+66.42 грн
500+49.75 грн
1000+47.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 26mOhms 70nC
на замовлення 4589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.33 грн
10+94.62 грн
100+63.92 грн
500+51.04 грн
1000+48.38 грн
3000+41.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBF Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS10174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR5410TRRPBF - IRFR5410 - HEXFET POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4D45D2323F1A303005056AB0C4F&compId=irfr5410pbf.pdf?ci_sign=35e831315d487b5d5818b7c8c15b727500ec9831 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.