IRFR5410TRRPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 44.02 грн |
| 6000+ | 42.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR5410TRRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 66W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR5410TRRPBF за ціною від 42.97 грн до 184.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR5410TRRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR5410TRRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR5410TRRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR5410TRRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V |
на замовлення 2452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR5410TRRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 26mOhms 70nC |
на замовлення 3631 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFR5410TRRPBF | International Rectifier HiRel Products |
IRFR5410TRRPBF |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFR5410TRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 44.04 грн |
| 6000+ | 42.97 грн |
| IRFR5410TRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 360+ | 98.24 грн |
| 500+ | 88.41 грн |
| 1000+ | 81.54 грн |
| 10000+ | 70.10 грн |
| IRFR5410TRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 360+ | 98.24 грн |
| 500+ | 88.41 грн |
| 1000+ | 81.54 грн |
| 10000+ | 70.10 грн |
| IRFR5410TRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 184.43 грн |
| 10+ | 113.80 грн |
| 100+ | 77.34 грн |
| 500+ | 57.94 грн |
| 1000+ | 53.23 грн |
| IRFR5410TRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 26mOhms 70nC
MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 26mOhms 70nC
на замовлення 3631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFR5410TRRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
IRFR5410TRRPBF
IRFR5410TRRPBF
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 360+ | 98.24 грн |
| 500+ | 88.41 грн |
| 1000+ | 81.54 грн |





