IRFR5505TRPBF

IRFR5505TRPBF Infineon Technologies


infineon-irfr5505-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR5505TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR5505TRPBF за ціною від 22.68 грн до 114.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr5505datasheeten.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
542+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 542
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr5505datasheeten.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
467+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 467
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr5505datasheeten.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356358535210f Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 74000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+29.47 грн
4000+26.25 грн
6000+25.16 грн
10000+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr5505datasheeten.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+30.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr5505datasheeten.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr5505datasheeten.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+33.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838076-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr5505datasheeten.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr5505datasheeten.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
302+41.29 грн
314+39.64 грн
500+38.20 грн
1000+35.64 грн
2500+32.02 грн
5000+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 302
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838076-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 67975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.18 грн
500+35.41 грн
1000+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr5505.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+93.82 грн
10+46.68 грн
25+43.00 грн
100+37.97 грн
250+34.69 грн
500+32.29 грн
1000+29.73 грн
2000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356358535210f Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 74682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.07 грн
10+65.06 грн
100+43.26 грн
500+31.83 грн
1000+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr5505.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.59 грн
10+58.17 грн
25+51.60 грн
100+45.56 грн
250+41.63 грн
500+38.75 грн
1000+35.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFR5505-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC
на замовлення 38059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.79 грн
10+45.27 грн
500+32.46 грн
1000+29.54 грн
2000+27.09 грн
4000+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838076-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 67975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.48 грн
50+46.22 грн
100+42.18 грн
500+35.41 грн
1000+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356358535210f MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252
на замовлення 2319 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irfr5505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356358535210f P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 18 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25; Qg, нКл = 32; Rds = 110 мОм @ 9.6 A; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Опис P-канальний ПТ; Р, Вт = 57; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D-PAK
на замовлення 470 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF Виробник : Taiwan TY Semiconductor irfr5505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356358535210f MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.