IRFR5505TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 31.25 грн |
| 6000+ | 26.74 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR5505TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 57W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm.
Інші пропозиції IRFR5505TRPBF за ціною від 16.83 грн до 164.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 62000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V |
на замовлення 58760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC |
на замовлення 41568 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 57W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm |
на замовлення 47800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 57W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm |
на замовлення 47800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFR5505TRPBF | TYS |
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори |
на замовлення 166 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRFR5505TRPBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 32, Rds = 110 мОм @ 9.6 A, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Опис P-канальний ПТ, Р, Вт = 57, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 500 Од.кількість в упаковці: 2000 шт |
на замовлення 470 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRFR5505TRPBF | Infineon |
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори |
на замовлення 74 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 37.62 грн |
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 37.62 грн |
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 37.98 грн |
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 38.11 грн |
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 40.44 грн |
| 4000+ | 38.10 грн |
| 6000+ | 37.64 грн |
| 10000+ | 34.27 грн |
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 46.91 грн |
| 8000+ | 42.87 грн |
| 12000+ | 39.89 грн |
| 16000+ | 36.28 грн |
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 62.44 грн |
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 73.16 грн |
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 58760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 112.61 грн |
| 10+ | 68.43 грн |
| 50+ | 51.23 грн |
| 100+ | 42.85 грн |
| 500+ | 33.68 грн |
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 111+ | 128.57 грн |
| 167+ | 85.26 грн |
| 230+ | 61.64 грн |
| 500+ | 47.54 грн |
| 1000+ | 40.15 грн |
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 164.17 грн |
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 87+ | 164.17 грн |
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC
на замовлення 41568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 47800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 47800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: TYS
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори
на замовлення 166 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 47+ | 16.83 грн |
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 32, Rds = 110 мОм @ 9.6 A, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Опис P-канальний ПТ, Р, Вт = 57, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 500 Од.
кількість в упаковці: 2000 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 32, Rds = 110 мОм @ 9.6 A, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Опис P-канальний ПТ, Р, Вт = 57, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 500 Од.
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 32.86 грн |
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори
на замовлення 74 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 42.09 грн |






