Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR5505TRPBF
IRFR5505TRPBF

IRFR5505TRPBF Infineon Technologies

irfr5505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356358535210f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+29.24 грн
4000+26.05 грн
6000+24.97 грн
10000+22.30 грн
14000+21.63 грн
20000+21.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR5505TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFR5505TRPBF за ціною від 16.47 грн до 123.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838076-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr5505datasheeten.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 106000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+39.31 грн
4000+36.73 грн
6000+35.58 грн
10000+33.05 грн
14000+29.94 грн
20000+27.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr5505datasheeten.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 106000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+39.63 грн
4000+37.03 грн
6000+35.86 грн
10000+33.32 грн
14000+30.18 грн
20000+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838076-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.71 грн
500+37.74 грн
1000+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr5505datasheeten.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
243+57.62 грн
Мінімальне замовлення: 243
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr5505datasheeten.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+60.91 грн
16+47.49 грн
100+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr5505.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3387 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+95.55 грн
6+70.65 грн
10+60.77 грн
25+48.88 грн
50+41.60 грн
100+35.99 грн
500+27.87 грн
1000+25.70 грн
2000+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356358535210f Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 64357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.40 грн
10+64.56 грн
100+42.93 грн
500+31.59 грн
1000+28.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFR5505-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC
на замовлення 13974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.96 грн
10+66.78 грн
100+40.12 грн
500+31.43 грн
1000+28.65 грн
2000+26.29 грн
4000+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr5505datasheeten.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
123+114.29 грн
209+67.02 грн
253+55.28 грн
500+43.25 грн
1000+36.53 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838076-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.32 грн
50+63.36 грн
100+50.71 грн
500+37.74 грн
1000+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr5505datasheeten.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF Виробник : TYS irfr5505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356358535210f MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 166 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Кількість Ціна
19+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF Виробник : Infineon irfr5505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356358535210f MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon IRFR5505_IR.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 32, Rds = 110 мОм @ 9.6 A, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Опис P-канальний ПТ, Р, Вт = 57, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. в
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
16+40.15 грн
17+37.47 грн
100+32.13 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF Виробник : International Rectifier irfr5505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356358535210f MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr5505datasheeten.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.