IRFR5505TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 31.93 грн |
| 4000+ | 28.47 грн |
| 6000+ | 27.31 грн |
| 10000+ | 24.41 грн |
| 14000+ | 23.69 грн |
| 20000+ | 23.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR5505TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 57W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm.
Інші пропозиції IRFR5505TRPBF за ціною від 16.74 грн до 128.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 62000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 62000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -18A Power dissipation: 57W Case: DPAK On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2511 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V |
на замовлення 59564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC |
на замовлення 33488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 57W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm |
на замовлення 49280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 57W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm |
на замовлення 49280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR5505TRPBF | TYS |
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори |
на замовлення 166 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IRFR5505TRPBF | Infineon |
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори |
на замовлення 2074 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IRFR5505TRPBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 32, Rds = 110 мОм @ 9.6 A, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Опис P-канальний ПТ, Р, Вт = 57, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 500 Од.кількість в упаковці: 2000 шт |
на замовлення 470 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 40.35 грн |
| 4000+ | 38.02 грн |
| 6000+ | 37.56 грн |
| 10000+ | 34.20 грн |
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 41.14 грн |
| 4000+ | 37.54 грн |
| 6000+ | 37.17 грн |
| 10000+ | 33.44 грн |
| 14000+ | 30.65 грн |
| 20000+ | 27.58 грн |
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 41.14 грн |
| 4000+ | 37.54 грн |
| 6000+ | 37.17 грн |
| 10000+ | 33.44 грн |
| 14000+ | 30.65 грн |
| 20000+ | 27.58 грн |
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 44.95 грн |
| 4000+ | 41.63 грн |
| 6000+ | 39.93 грн |
| 10000+ | 36.67 грн |
| 14000+ | 32.94 грн |
| 20000+ | 31.04 грн |
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 62.30 грн |
| 15+ | 52.47 грн |
| 100+ | 44.50 грн |
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 73.00 грн |
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2511 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 101.79 грн |
| 10+ | 42.78 грн |
| 11+ | 40.46 грн |
| 25+ | 37.64 грн |
| 50+ | 35.74 грн |
| 100+ | 33.83 грн |
| 500+ | 29.68 грн |
| 1000+ | 27.94 грн |
| 2000+ | 26.28 грн |
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 59564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 114.69 грн |
| 10+ | 69.92 грн |
| 100+ | 46.65 грн |
| 500+ | 34.41 грн |
| 1000+ | 31.39 грн |
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 128.28 грн |
| 10+ | 85.07 грн |
| 100+ | 61.51 грн |
| 500+ | 47.43 грн |
| 1000+ | 40.06 грн |
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 111+ | 128.28 грн |
| 167+ | 85.07 грн |
| 230+ | 61.51 грн |
| 500+ | 47.43 грн |
| 1000+ | 40.06 грн |
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC
на замовлення 33488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 49280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 49280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: TYS
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори
на замовлення 166 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 16.74 грн |
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 22.43 грн |
| IRFR5505TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 32, Rds = 110 мОм @ 9.6 A, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Опис P-канальний ПТ, Р, Вт = 57, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 500 Од.
кількість в упаковці: 2000 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 32, Rds = 110 мОм @ 9.6 A, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Опис P-канальний ПТ, Р, Вт = 57, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 500 Од.
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 32.86 грн |







