Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR5505TRPBF
IRFR5505TRPBF

IRFR5505TRPBF Infineon Technologies

irfr5505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356358535210f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+34.82 грн
4000+31.02 грн
6000+29.74 грн
10000+26.56 грн
14000+25.76 грн
20000+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR5505TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 57W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm.

Інші пропозиції IRFR5505TRPBF за ціною від 16.88 грн до 125.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Infineon Technologies infineonirfr5505datasheeten.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.90 грн
4000+37.75 грн
6000+37.39 грн
10000+35.33 грн
14000+31.75 грн
20000+27.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Infineon Technologies infineonirfr5505datasheeten.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.21 грн
4000+38.05 грн
6000+37.68 грн
10000+35.59 грн
14000+32.00 грн
20000+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Infineon Technologies infineonirfr5505datasheeten.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.59 грн
16+48.03 грн
100+43.15 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Infineon Technologies infineonirfr5505datasheeten.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+72.84 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838076-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 49962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.71 грн
50+57.92 грн
100+46.44 грн
500+34.51 грн
1000+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5505.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+96.63 грн
6+71.45 грн
10+61.46 грн
25+49.44 грн
50+42.07 грн
100+36.40 грн
500+28.19 грн
1000+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Infineon Technologies infineonirfr5505datasheeten.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+121.13 грн
203+69.83 грн
247+57.36 грн
500+45.33 грн
1000+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRFR5505-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC
на замовлення 15900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.53 грн
10+77.24 грн
100+44.59 грн
500+35.30 грн
1000+31.37 грн
2000+28.69 грн
4000+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Infineon Technologies irfr5505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356358535210f description Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 62583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.79 грн
10+76.87 грн
100+51.13 грн
500+37.61 грн
1000+34.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Infineon Technologies infineonirfr5505datasheeten.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF TYS irfr5505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356358535210f description MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори
на замовлення 166 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
19+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF Infineon irfr5505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356358535210f description MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
14+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF International Rectifier/Infineon IRFR5505_IR.pdf description P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 32, Rds = 110 мОм @ 9.6 A, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Опис P-канальний ПТ, Р, Вт = 57, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 500 Од.
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2000+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 470 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF description infineonirfr5505datasheeten.pdf
IRFR5505TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+39.90 грн
4000+37.75 грн
6000+37.39 грн
10000+35.33 грн
14000+31.75 грн
20000+27.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF description infineonirfr5505datasheeten.pdf
IRFR5505TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+40.21 грн
4000+38.05 грн
6000+37.68 грн
10000+35.59 грн
14000+32.00 грн
20000+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF description infineonirfr5505datasheeten.pdf
IRFR5505TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+61.59 грн
16+48.03 грн
100+43.15 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF description infineonirfr5505datasheeten.pdf
IRFR5505TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
194+72.84 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF description INFN-S-A0012838076-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR5505TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 49962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+92.71 грн
50+57.92 грн
100+46.44 грн
500+34.51 грн
1000+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF description irfr5505.pdf
IRFR5505TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+96.63 грн
6+71.45 грн
10+61.46 грн
25+49.44 грн
50+42.07 грн
100+36.40 грн
500+28.19 грн
1000+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF description infineonirfr5505datasheeten.pdf
IRFR5505TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
117+121.13 грн
203+69.83 грн
247+57.36 грн
500+45.33 грн
1000+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF description Infineon-IRFR5505-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFR5505TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC
на замовлення 15900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+125.53 грн
10+77.24 грн
100+44.59 грн
500+35.30 грн
1000+31.37 грн
2000+28.69 грн
4000+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF description irfr5505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356358535210f
IRFR5505TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 62583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+125.79 грн
10+76.87 грн
100+51.13 грн
500+37.61 грн
1000+34.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF description infineonirfr5505datasheeten.pdf
IRFR5505TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF description irfr5505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356358535210f
Виробник: TYS
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори
на замовлення 166 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна
19+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF description irfr5505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356358535210f
Виробник: Infineon
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна
14+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF description IRFR5505_IR.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 32, Rds = 110 мОм @ 9.6 A, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Опис P-канальний ПТ, Р, Вт = 57, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 500 Од.
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 470 шт
В кошику  од. на суму  грн.