Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR5505TRPBF

IRFR5505TRPBF Infineon Technologies

Name: IRFR5505TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 40465-7
Price: 38780 UAH
Availability: InStock

infineon-irfr5505-datasheet-v01_01-en.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	19.39 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRFR5505TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR5505TRPBF за ціною від 20.59 грн до 108.48 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRFR5505TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
475+	25.58 грн
477+	25.50 грн
500+	24.77 грн

Мінімальне замовлення: 475

В кошику од. на суму грн.

IRFR5505TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3706 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
22+	27.91 грн
2000+	26.32 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

IRFR5505TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

irfr5505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356358535210f

Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V

на замовлення 98000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	28.62 грн
4000+	25.54 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRFR5505TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	29.87 грн
4000+	29.13 грн
8000+	28.85 грн
12000+	27.54 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRFR5505TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3706 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
404+	30.06 грн
2000+	28.35 грн

Мінімальне замовлення: 404

В кошику од. на суму грн.

IRFR5505TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	31.04 грн
4000+	30.28 грн
8000+	29.98 грн
12000+	28.62 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRFR5505TRPBF

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0012838076-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	32.20 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRFR5505TRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 73518 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	48.13 грн
500+	35.77 грн
1000+	29.00 грн
5000+	26.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRFR5505TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V

на замовлення 98346 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	85.53 грн
10+	55.22 грн
100+	40.21 грн
500+	30.91 грн
1000+	27.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IRFR5505TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®

на замовлення 3886 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	87.06 грн
10+	57.58 грн
41+	21.81 грн
113+	20.59 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IRFR5505TRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 73293 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	87.06 грн
13+	68.25 грн
100+	48.13 грн
500+	35.77 грн
1000+	29.00 грн
5000+	26.33 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IRFR5505TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

на замовлення 3886 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	104.47 грн
10+	71.75 грн
41+	26.17 грн
113+	24.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRFR5505TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IRFR5505_DataSheet_v01_01_EN-3363299.pdf

MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC

на замовлення 39975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	108.48 грн
10+	74.60 грн
100+	41.29 грн
500+	34.26 грн
1000+	32.87 грн
2000+	29.36 грн
4000+	28.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IRFR5505TRPBF

Виробник : International Rectifier/Infineon

P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 18 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25; Qg, нКл = 32; Rds = 110 мОм @ 9.6 A; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Опис P-канальний ПТ; Р, Вт = 57; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D-PAK

на замовлення 470 шт:

термін постачання 3-4 дні (днів)

Кількість	Ціна
19+	34.40 грн
20+	32.10 грн
100+	29.81 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IRFR5505TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252

на замовлення 10 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFR5505TRPBF

Виробник : Taiwan TY Semiconductor

MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252

на замовлення 1816 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFR5505TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFR5505TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFR5505TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.