IRFR6215TRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 22.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR6215TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR6215TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRFR6215TRLPBF за ціною від 32.03 грн до 102.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR6215TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFR6215TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFR6215TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR6215TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 17164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR6215TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR6215TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR6215TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR6215TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR6215TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
на замовлення 3884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFR6215TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT PCh -150V 13A 580mOhm 44nC |
на замовлення 3339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR6215TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR6215TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 17164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR6215TRLPBF Код товару: 187580 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
|
|
IRFR6215TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IRFR6215TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |