Інші пропозиції IRFR6215TRLPBF за ціною від 39.41 грн до 97.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR6215TRLPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFR6215TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFR6215TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFR6215TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFR6215TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFR6215TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR6215TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm |
на замовлення 2222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IRFR6215TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR6215TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm |
на замовлення 2222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFR6215TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 42.45 грн |
| IRFR6215TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 42.68 грн |
| IRFR6215TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 187+ | 75.73 грн |
| 189+ | 74.97 грн |
| 242+ | 58.46 грн |
| 320+ | 42.57 грн |
| IRFR6215TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 146+ | 96.90 грн |
| IRFR6215TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 97.87 грн |
| 10+ | 75.73 грн |
| 25+ | 74.97 грн |
| 100+ | 56.37 грн |
| 250+ | 39.41 грн |
| IRFR6215TRLPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR6215TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
Description: INFINEON - IRFR6215TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR6215TRLPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR6215TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
Description: INFINEON - IRFR6215TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)