Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRFR6215TRLPBF

IRFR6215TRLPBF

irfr6215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563595592114
Код товару: 187580
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFR6215TRLPBF за ціною від 35.73 грн до 144.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFR6215TRLPBF IRFR6215TRLPBF Infineon Technologies infineonirfr6215dsv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF IRFR6215TRLPBF Infineon Technologies infineonirfr6215dsv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF IRFR6215TRLPBF INFINEON INFN-S-A0002298973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR6215TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.62 грн
500+49.40 грн
1500+41.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF IRFR6215TRLPBF Infineon Technologies infineonirfr6215dsv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+75.90 грн
189+75.14 грн
242+58.59 грн
320+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF IRFR6215TRLPBF Infineon Technologies infineonirfr6215dsv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+97.12 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF IRFR6215TRLPBF Infineon Technologies infineonirfr6215dsv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.09 грн
10+75.90 грн
25+75.14 грн
100+56.50 грн
250+39.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF IRFR6215TRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR6215_DS_v01_02_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -150V 13A 580mOhm 44nC
на замовлення 3563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.03 грн
10+85.92 грн
100+51.59 грн
500+40.95 грн
1000+37.57 грн
3000+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF IRFR6215TRLPBF INFINEON INFN-S-A0002298973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR6215TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.97 грн
50+86.34 грн
100+59.62 грн
500+49.40 грн
1500+41.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF IRFR6215TRLPBF Infineon Technologies irfr6215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563595592114 Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.31 грн
10+88.57 грн
100+59.77 грн
500+44.52 грн
1000+40.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF infineonirfr6215dsv0102en.pdf
IRFR6215TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+42.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF infineonirfr6215dsv0102en.pdf
IRFR6215TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+42.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF INFN-S-A0002298973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR6215TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR6215TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+59.62 грн
500+49.40 грн
1500+41.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF infineonirfr6215dsv0102en.pdf
IRFR6215TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
187+75.90 грн
189+75.14 грн
242+58.59 грн
320+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF infineonirfr6215dsv0102en.pdf
IRFR6215TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
146+97.12 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF infineonirfr6215dsv0102en.pdf
IRFR6215TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+98.09 грн
10+75.90 грн
25+75.14 грн
100+56.50 грн
250+39.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF Infineon_IRFR6215_DS_v01_02_EN.pdf
IRFR6215TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -150V 13A 580mOhm 44nC
на замовлення 3563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+134.03 грн
10+85.92 грн
100+51.59 грн
500+40.95 грн
1000+37.57 грн
3000+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF INFN-S-A0002298973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR6215TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR6215TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+138.97 грн
50+86.34 грн
100+59.62 грн
500+49.40 грн
1500+41.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF irfr6215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563595592114
IRFR6215TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+144.31 грн
10+88.57 грн
100+59.77 грн
500+44.52 грн
1000+40.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.