Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR6215TRPBF
IRFR6215TRPBF

IRFR6215TRPBF Infineon Technologies

irfr6215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563595592114
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+40.59 грн
4000+36.34 грн
6000+34.95 грн
10000+31.32 грн
14000+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR6215TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR6215TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 110W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm.

Інші пропозиції IRFR6215TRPBF за ціною від 34.39 грн до 154.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF Infineon Technologies infineonirfr6215dsv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 74000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.16 грн
4000+47.16 грн
6000+44.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF Infineon Technologies infineonirfr6215dsv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+48.26 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF Infineon Technologies infineonirfr6215dsv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 74000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+52.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF INFINEON INFN-S-A0002298973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR6215TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.47 грн
500+48.99 грн
1000+42.13 грн
5000+34.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr6215pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -13A
Power dissipation: 110W
Kind of package: reel
на замовлення 1876 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+123.98 грн
10+71.28 грн
25+62.90 грн
50+57.22 грн
100+52.15 грн
250+46.05 грн
500+41.90 грн
1000+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR6215_DS_v01_02_EN.pdf MOSFETs 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.20 грн
10+86.54 грн
100+50.35 грн
500+39.94 грн
1000+37.13 грн
2000+35.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF Infineon Technologies irfr6215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563595592114 Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 31345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.83 грн
10+86.47 грн
100+58.31 грн
500+43.39 грн
1000+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF INFINEON INFN-S-A0002298973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR6215TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
на замовлення 9445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.25 грн
10+99.28 грн
100+66.54 грн
500+49.06 грн
1000+42.05 грн
5000+37.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF Infineon Technologies infineonirfr6215dsv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF infineonirfr6215dsv0102en.pdf
IRFR6215TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 74000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+48.16 грн
4000+47.16 грн
6000+44.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF infineonirfr6215dsv0102en.pdf
IRFR6215TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
293+48.26 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF infineonirfr6215dsv0102en.pdf
IRFR6215TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 74000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+52.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF INFN-S-A0002298973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR6215TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR6215TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+65.47 грн
500+48.99 грн
1000+42.13 грн
5000+34.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF irfr6215pbf.pdf
IRFR6215TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -13A
Power dissipation: 110W
Kind of package: reel
на замовлення 1876 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+123.98 грн
10+71.28 грн
25+62.90 грн
50+57.22 грн
100+52.15 грн
250+46.05 грн
500+41.90 грн
1000+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF Infineon_IRFR6215_DS_v01_02_EN.pdf
IRFR6215TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+136.20 грн
10+86.54 грн
100+50.35 грн
500+39.94 грн
1000+37.13 грн
2000+35.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF irfr6215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563595592114
IRFR6215TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 31345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+140.83 грн
10+86.47 грн
100+58.31 грн
500+43.39 грн
1000+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF INFN-S-A0002298973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR6215TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR6215TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
на замовлення 9445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+154.25 грн
10+99.28 грн
100+66.54 грн
500+49.06 грн
1000+42.05 грн
5000+37.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF infineonirfr6215dsv0102en.pdf
IRFR6215TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.