Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR6215TRPBF
IRFR6215TRPBF

IRFR6215TRPBF Infineon Technologies

650infineon-irfr6215-ds-v01_02-en.pdffileid5546d462533600a4015356359.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR6215TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR6215TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFR6215TRPBF за ціною від 35.37 грн до 152.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr6215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563595592114 Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+40.82 грн
4000+36.55 грн
6000+35.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr6215dsv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr6215dsv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+45.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002298973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR6215TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.10 грн
500+54.74 грн
1000+46.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr6215pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -13A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+102.12 грн
10+76.03 грн
25+65.55 грн
100+51.57 грн
250+44.42 грн
500+40.09 грн
1000+36.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr6215pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -13A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.55 грн
10+94.75 грн
25+78.66 грн
100+61.89 грн
250+53.30 грн
500+48.11 грн
1000+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr6215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563595592114 Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 24649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.67 грн
10+87.01 грн
100+58.64 грн
500+43.63 грн
1000+40.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR6215_DS_v01_02_EN.pdf MOSFETs 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC
на замовлення 6578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.27 грн
10+98.26 грн
100+56.14 грн
500+45.28 грн
1000+42.16 грн
2000+37.53 грн
4000+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002298973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR6215TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+152.29 грн
10+108.40 грн
100+73.10 грн
500+54.74 грн
1000+46.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr6215dsv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr6215dsv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr6215dsv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.