IRFR6215TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 29500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 37.14 грн |
| 4000+ | 33.26 грн |
| 6000+ | 32.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR6215TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR6215TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRFR6215TRPBF за ціною від 34.33 грн до 146.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR6215TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR6215TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 74000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR6215TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 74000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR6215TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR6215TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR6215TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -13A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 685 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR6215TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
на замовлення 29650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR6215TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC |
на замовлення 2625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR6215TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR6215TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR6215TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IRFR6215TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |