Інші пропозиції IRFR7440TRPBF за ціною від 38.12 грн до 169.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 110220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 90A 2.5mOhm 89nC StrongIRFET |
на замовлення 4831 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAKFET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) |
на замовлення 1586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR7440TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2400 µohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 25 V |
на замовлення 1586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1586 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFR7440TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 209+ | 67.75 грн |
| 250+ | 65.04 грн |
| IRFR7440TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 404+ | 87.36 грн |
| 500+ | 78.63 грн |
| 1000+ | 72.52 грн |
| 10000+ | 62.33 грн |
| IRFR7440TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 404+ | 87.36 грн |
| 500+ | 78.63 грн |
| 1000+ | 72.52 грн |
| IRFR7440TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 110220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 404+ | 87.36 грн |
| 500+ | 78.63 грн |
| 1000+ | 72.52 грн |
| 10000+ | 62.33 грн |
| 100000+ | 48.37 грн |
| IRFR7440TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 126+ | 112.10 грн |
| 132+ | 107.08 грн |
| 250+ | 102.78 грн |
| 500+ | 95.54 грн |
| IRFR7440TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 90A 2.5mOhm 89nC StrongIRFET
MOSFETs 40V 90A 2.5mOhm 89nC StrongIRFET
на замовлення 4831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 120.61 грн |
| 10+ | 84.92 грн |
| 100+ | 52.39 грн |
| 250+ | 51.76 грн |
| 500+ | 42.69 грн |
| 1000+ | 41.98 грн |
| 2000+ | 38.12 грн |
| IRFR7440TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 113+ | 124.89 грн |
| 149+ | 95.08 грн |
| 232+ | 61.06 грн |
| IRFR7440TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
на замовлення 1586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 139.24 грн |
| 10+ | 85.63 грн |
| 100+ | 57.97 грн |
| 500+ | 43.26 грн |
| 1000+ | 39.68 грн |
| IRFR7440TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFR7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 169.84 грн |
| 10+ | 109.12 грн |
| 100+ | 75.15 грн |
| IRFR7440TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 25 V
на замовлення 1586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| RT919333GB Код товару: 155294
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.






