
IRFR7440TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
511+ | 23.91 грн |
647+ | 18.87 грн |
673+ | 18.14 грн |
758+ | 15.53 грн |
1000+ | 13.07 грн |
2000+ | 11.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR7440TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0019 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFR7440TRPBF за ціною від 30.37 грн до 141.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFR7440TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR7440TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR7440TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR7440TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR7440TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR7440TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR7440TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 34240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR7440TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR7440TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR7440TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR7440TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRFR7440TRPBF Код товару: 208603
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFR7440TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4831 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR7440TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 25 V |
на замовлення 1586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR7440TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 25 V |
на замовлення 1586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRFR7440TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 125A; Idm: 760A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 125A Pulsed drain current: 760A Power dissipation: 140W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
IRFR7440TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 125A; Idm: 760A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 125A Pulsed drain current: 760A Power dissipation: 140W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |