IRFR7446TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 9.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR7446TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 98W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFR7446TRPBF за ціною від 10.32 грн до 49.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFR7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR7446TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 98W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 574000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 56A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V |
на замовлення 2118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET N-CH 40V 56A DPAK |
на замовлення 19993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR7446TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 98W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
IRFR7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRFR7446TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56A; 98W; DPAK Case: DPAK Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 56A Power dissipation: 98W кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFR7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 56A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFR7446TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56A; 98W; DPAK Case: DPAK Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 56A Power dissipation: 98W |
товару немає в наявності |