IRFR7446TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 27.72 грн |
| 4000+ | 24.67 грн |
| 6000+ | 23.64 грн |
| 10000+ | 21.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR7446TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 98W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm.
Інші пропозиції IRFR7446TRPBF за ціною від 27.30 грн до 102.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 56A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V |
на замовлення 10837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET N-CH 40V 56A DPAK |
на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRFR7446TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3900 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 98W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm |
на замовлення 7698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRFR7446TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3900 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 98W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFR7446TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 35.72 грн |
| 4000+ | 35.64 грн |
| IRFR7446TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 35.72 грн |
| 4000+ | 35.64 грн |
| IRFR7446TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 37.98 грн |
| 21+ | 37.03 грн |
| 25+ | 36.08 грн |
| IRFR7446TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 737+ | 47.88 грн |
| 1000+ | 44.15 грн |
| 10000+ | 39.36 грн |
| 100000+ | 31.80 грн |
| IRFR7446TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V
на замовлення 10837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 101.29 грн |
| 10+ | 61.42 грн |
| 100+ | 40.82 грн |
| 500+ | 29.98 грн |
| 1000+ | 27.30 грн |
| IRFR7446TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 102.67 грн |
| 11+ | 73.55 грн |
| 100+ | 54.68 грн |
| 500+ | 42.80 грн |
| 1000+ | 36.37 грн |
| IRFR7446TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 138+ | 102.67 грн |
| 192+ | 73.55 грн |
| 259+ | 54.68 грн |
| 500+ | 42.80 грн |
| 1000+ | 36.37 грн |
| IRFR7446TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
MOSFETs MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFR7446TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 98W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
Description: INFINEON - IRFR7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 98W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
на замовлення 7698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR7446TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR7446TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFR7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





