IRFR7540TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 38.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR7540TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR7540TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.004 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFR7540TRPBF за ціною від 33.70 грн до 70.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR7540TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR7540TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V |
на замовлення 5022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR7540TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR7540TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet |
на замовлення 9018 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR7540TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR7540TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.004 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR7540TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR7540TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 28180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR7540TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
IRFR7540TRPBF Код товару: 118952
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
 |
IRFR7540TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFR7540TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRFR7540TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 110A Power dissipation: 140W Case: DPAK On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFR7540TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 110A Power dissipation: 140W Case: DPAK On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |