Інші пропозиції IRFR7540TRPBF за ціною від 44.59 грн до 167.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 28180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRFR7540TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR7540TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4800 µohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm |
на замовлення 12471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRFR7540TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR7540TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4800 µohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm |
на замовлення 12471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V |
на замовлення 6778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet |
на замовлення 5665 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFR7540TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 55.08 грн |
| 4000+ | 54.54 грн |
| IRFR7540TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 55.08 грн |
| 4000+ | 54.54 грн |
| IRFR7540TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 55.98 грн |
| 4000+ | 55.40 грн |
| IRFR7540TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 56.30 грн |
| 4000+ | 55.73 грн |
| IRFR7540TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 430+ | 82.23 грн |
| IRFR7540TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 430+ | 82.23 грн |
| 500+ | 74.00 грн |
| 1000+ | 68.25 грн |
| 10000+ | 58.68 грн |
| IRFR7540TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 163.23 грн |
| 10+ | 112.91 грн |
| 25+ | 111.77 грн |
| 50+ | 106.13 грн |
| 100+ | 49.53 грн |
| IRFR7540TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 87+ | 163.23 грн |
| 125+ | 112.91 грн |
| 127+ | 111.77 грн |
| 129+ | 106.13 грн |
| 255+ | 49.53 грн |
| IRFR7540TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR7540TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR7540TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
Description: INFINEON - IRFR7540TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 12471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR7540TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR7540TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
Description: INFINEON - IRFR7540TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 12471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR7540TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 49.64 грн |
| 4000+ | 44.59 грн |
| IRFR7540TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V
на замовлення 6778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 167.01 грн |
| 10+ | 103.19 грн |
| 100+ | 70.25 грн |
| 500+ | 52.69 грн |
| 1000+ | 48.44 грн |
| IRFR7540TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet
MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet
на замовлення 5665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)






