Інші пропозиції IRFR7546TRPBF за ціною від 24.97 грн до 112.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 34000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 34000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR7546TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR7546TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 7900 µohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 99W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet |
на замовлення 2153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V |
на замовлення 689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR7546TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR7546TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 7900 µohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 99W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFR7546TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 566+ | 24.97 грн |
| IRFR7546TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 34.30 грн |
| 4000+ | 30.37 грн |
| 6000+ | 30.06 грн |
| 10000+ | 28.47 грн |
| IRFR7546TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 34.31 грн |
| 4000+ | 30.38 грн |
| 6000+ | 30.06 грн |
| 10000+ | 28.48 грн |
| IRFR7546TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 793+ | 44.54 грн |
| IRFR7546TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR7546TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 7900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 99W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFR7546TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 7900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 99W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 45.04 грн |
| 500+ | 32.84 грн |
| 1000+ | 27.43 грн |
| IRFR7546TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet
MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet
на замовлення 2153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.35 грн |
| 10+ | 63.00 грн |
| 100+ | 38.12 грн |
| 500+ | 33.12 грн |
| 1000+ | 28.27 грн |
| 2000+ | 26.09 грн |
| 4000+ | 25.53 грн |
| IRFR7546TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 98.10 грн |
| 10+ | 59.50 грн |
| 100+ | 39.42 грн |
| 500+ | 28.87 грн |
| IRFR7546TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR7546TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 7900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 99W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFR7546TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 7900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 99W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 112.40 грн |
| 12+ | 70.56 грн |
| 100+ | 46.68 грн |
| 500+ | 33.90 грн |
| 1000+ | 28.41 грн |
| IRFR7546TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






