IRFR7746TRPBF

IRFR7746TRPBF Infineon Technologies


infineon-irfr7746-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
на замовлення 3490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
322+36.1 грн
Мінімальне замовлення: 322
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR7746TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 99W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR7746TRPBF за ціною від 46.61 грн до 116.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR7746TRPBF IRFR7746TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr7746-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+50.76 грн
13+ 46.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRFR7746TRPBF IRFR7746TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr7746-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+55.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR7746TRPBF IRFR7746TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr7746-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+59.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR7746TRPBF IRFR7746TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr7746-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+85.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR7746TRPBF IRFR7746TRPBF Виробник : Infineon / IR Infineon_IRFR7746_DataSheet_v01_01_EN-1732676.pdf MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.72 грн
10+ 103.63 грн
100+ 70.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR7746TRPBF IRFR7746TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr7746-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFR7746TRPBF IRFR7746TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr7746-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
товар відсутній
IRFR7746TRPBF IRFR7746TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr7746pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635cbd72125 Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR7746TRPBF IRFR7746TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr7746pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635cbd72125 Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V
товар відсутній