IRFR812TRPBF

IRFR812TRPBF Infineon / IR


Infineon_IRFR812_DataSheet_v01_01_EN-1228511.pdf Виробник: Infineon / IR
MOSFET 500V 3.5A 2.2Ohm MotIRFET
на замовлення 1902 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.61 грн
10+ 85.4 грн
100+ 57.83 грн
500+ 47.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR812TRPBF Infineon / IR

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; Idm: 14.4A; 78W; DPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: HEXFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 2.3A, Pulsed drain current: 14.4A, Power dissipation: 78W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.2Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 2000 шт.

Інші пропозиції IRFR812TRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR812TRPBF
Код товару: 111396
irfr812pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635d2f02128 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRFR812TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr812pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635d2f02128 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; Idm: 14.4A; 78W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.3A
Pulsed drain current: 14.4A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR812TRPBF IRFR812TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr812pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635d2f02128 Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
товар відсутній
IRFR812TRPBF IRFR812TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr812pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635d2f02128 Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
товар відсутній
IRFR812TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr812pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635d2f02128 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; Idm: 14.4A; 78W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.3A
Pulsed drain current: 14.4A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній