Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFR825TRPBF

IRFR825TRPBF

irfr825pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635dbec212a
Код товару: 188539
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFR825TRPBF за ціною від 56.45 грн до 148.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR825TRPBF IRFR825TRPBF Infineon Technologies infineonirfr825datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 43826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+140.49 грн
500+126.44 грн
1000+116.61 грн
10000+100.25 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825TRPBF IRFR825TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR825TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825TRPBF IRFR825TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR825TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825TRPBF International Rectifier/Infineon irfr825pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635dbec212a N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1346 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 1,3 Ом, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 119, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 743 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2000+56.45 грн
Мінімальне замовлення: 743 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825TRPBF Infineon irfr825pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635dbec212a MOSF N CH 500V 6A DPAK Транзистори
на замовлення 12 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
3+148.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825TRPBF infineonirfr825datasheetv0101en.pdf
IRFR825TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 43826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+140.49 грн
500+126.44 грн
1000+116.61 грн
10000+100.25 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825TRPBF INFN-S-A0012838739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR825TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR825TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825TRPBF INFN-S-A0012838739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR825TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR825TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825TRPBF irfr825pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635dbec212a
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1346 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 1,3 Ом, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 119, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 743 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+56.45 грн
Мінімальне замовлення: 743 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825TRPBF irfr825pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635dbec212a
Виробник: Infineon
MOSF N CH 500V 6A DPAK Транзистори
на замовлення 12 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+148.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.