IRFR825TRPBF


irfr825pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635dbec212a
Код товару: 188539
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFR825TRPBF за ціною від 55.18 грн до 146.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR825TRPBF IRFR825TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR825TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+88.43 грн
500+76.84 грн
1000+63.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825TRPBF IRFR825TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr825datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 43826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+139.54 грн
500+125.59 грн
1000+115.82 грн
10000+99.58 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825TRPBF IRFR825TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR825TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.04 грн
10+107.09 грн
100+88.43 грн
500+76.84 грн
1000+63.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irfr825pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635dbec212a N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1346 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 1,3 Ом, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 119, Тексп, °C = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 743 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825TRPBF Виробник : Infineon irfr825pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635dbec212a MOSF N CH 500V 6A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825TRPBF IRFR825TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr825pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635dbec212a Description: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1346 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825TRPBF IRFR825TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr825pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635dbec212a Description: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1346 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825TRPBF Виробник : Amphenol irfr825pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635dbec212a Circular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825TRPBF IRFR825TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFR825-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 500V 3.5A 2.2Ohm MotIRFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.