IRFR825TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 55.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR825TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR825TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 119W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFR825TRPBF за ціною від 66.52 грн до 153.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR825TRPBF | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IRFR825TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR825TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 43826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR825TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR825TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRFR825TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSF N CH 500V 6A DPAK |
на замовлення 48 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||
| IRFR825TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
MOSF N CH 500V 6A DPAK |
на замовлення 110 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||
| IRFR825TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 6 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1346 @ 25; Qg, нКл = 34 @ 10 В; Rds = 1,3 Ом; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 119; Тексп, °C = -55...+150; D-PAK |
на замовлення 778 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||
|
IRFR825TRPBF Код товару: 188539
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
 |
IRFR825TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1346 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFR825TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1346 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRFR825TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 500V 3.5A 2.2Ohm MotIRFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IRFR825TRPBF | Виробник : Amphenol |
Circular MIL Spec Connector |
товару немає в наявності |