IRFR8314TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 36.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR8314TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR8314TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFR8314TRPBF за ціною від 40.67 грн до 157.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR8314TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 179A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR8314TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 179A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR8314TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; 125W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 30V Drain current: 127A On-state resistance: 3.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Gate charge: 36nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 2164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR8314TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 179A 2.2 mOhm 36 nC Qg |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR8314TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; 125W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 30V Drain current: 127A On-state resistance: 3.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Gate charge: 36nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2164 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR8314TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR8314TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR8314TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR8314TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
IRFR8314TRPBF Код товару: 198287
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
IRFR8314TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 179A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRFR8314TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4945 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRFR8314TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4945 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |