Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFR8314TRPBF

IRFR8314TRPBF

irfr8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635e2e2212c

Код товару: 198287

Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Інші пропозиції IRFR8314TRPBF

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
IRFR8314TRPBF	Infineon Technologies	MOSFETs 30V 179A 2.2 mOhm 36 nC Qg	на замовлення 229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
IRFR8314TRPBF	INFINEON	Description: INFINEON - IRFR8314TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
IRFR8314TRPBF	INFINEON	Description: INFINEON - IRFR8314TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн.

IRFR8314TRPBF

Infineon_IRFR8314_DataSheet_v01_01_EN-3363261.pdf

Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 179A 2.2 mOhm 36 nC Qg

на замовлення 229 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFR8314TRPBF

INFN-S-A0012813748-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR8314TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFR8314TRPBF

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.