Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR8314TRPBF
IRFR8314TRPBF

IRFR8314TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr8314-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 179A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR8314TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR8314TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR8314TRPBF за ціною від 41.13 грн до 159.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR8314TRPBF IRFR8314TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr8314-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 179A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
211+57.94 грн
214+56.96 грн
234+52.18 грн
239+49.14 грн
Мінімальне замовлення: 211
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR8314TRPBF IRFR8314TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr8314-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 179A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
362+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 362
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR8314TRPBF IRFR8314TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFR8314TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 127A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+128.43 грн
10+79.28 грн
20+45.26 грн
55+42.73 грн
1000+41.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR8314TRPBF IRFR8314TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR8314_DataSheet_v01_01_EN-3363261.pdf MOSFETs 30V 179A 2.2 mOhm 36 nC Qg
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.29 грн
10+90.31 грн
100+54.82 грн
500+47.12 грн
1000+43.59 грн
2000+43.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR8314TRPBF IRFR8314TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFR8314TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 127A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+154.12 грн
10+98.79 грн
20+54.31 грн
55+51.28 грн
1000+49.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR8314TRPBF IRFR8314TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813748-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR8314TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+159.72 грн
10+105.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR8314TRPBF IRFR8314TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813748-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR8314TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR8314TRPBF
Код товару: 198287
Додати до обраних Обраний товар

irfr8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635e2e2212c Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR8314TRPBF IRFR8314TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr8314-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 179A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR8314TRPBF IRFR8314TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635e2e2212c Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4945 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR8314TRPBF IRFR8314TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635e2e2212c Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4945 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.