IRFR9024NPBF ROCHESTER ELECTRONICS
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR9024NPBF - IRFR9024 - P CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR9024NPBF ROCHESTER ELECTRONICS
Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Discontinued at Digi-Key, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR9024NPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFR9024NPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 11 А; Ptot, Вт = 38; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25; Qg, нКл = 19 @ 10 В; Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK |
на замовлення 40 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||
 |
IRFR9024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFR9024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFR9024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC |
товару немає в наявності |