Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR9120NTRPBF
IRFR9120NTRPBF

IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies

irfr9120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563607932138
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+30.72 грн
4000+27.38 грн
6000+26.26 грн
10000+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 40W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm.

Інші пропозиції IRFR9120NTRPBF за ціною від 25.87 грн до 113.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.44 грн
4000+38.31 грн
6000+38.12 грн
10000+36.41 грн
14000+33.62 грн
20000+31.60 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.58 грн
4000+38.44 грн
6000+38.25 грн
10000+36.53 грн
14000+33.73 грн
20000+31.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
на замовлення 8637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.63 грн
500+35.20 грн
1000+29.53 грн
5000+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr9120npbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 869 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+99.59 грн
10+60.07 грн
100+39.54 грн
200+35.29 грн
500+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies irfr9120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563607932138 description Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 12604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.01 грн
10+67.58 грн
100+44.99 грн
500+33.14 грн
1000+30.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
на замовлення 8637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.01 грн
11+80.09 грн
100+52.63 грн
500+35.20 грн
1000+29.53 грн
5000+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.64 грн
173+81.99 грн
241+58.86 грн
500+46.24 грн
1000+39.53 грн
2000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF description infineonirfr9120ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+43.44 грн
4000+38.31 грн
6000+38.12 грн
10000+36.41 грн
14000+33.62 грн
20000+31.60 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF description infineonirfr9120ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+43.58 грн
4000+38.44 грн
6000+38.25 грн
10000+36.53 грн
14000+33.73 грн
20000+31.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF description INFN-S-A0012837716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR9120NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
на замовлення 8637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+52.63 грн
500+35.20 грн
1000+29.53 грн
5000+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF description irfr9120npbf.pdf
IRFR9120NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 869 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+99.59 грн
10+60.07 грн
100+39.54 грн
200+35.29 грн
500+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF description irfr9120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563607932138
IRFR9120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 12604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+111.01 грн
10+67.58 грн
100+44.99 грн
500+33.14 грн
1000+30.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF description INFN-S-A0012837716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR9120NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
на замовлення 8637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+111.01 грн
11+80.09 грн
100+52.63 грн
500+35.20 грн
1000+29.53 грн
5000+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF description infineonirfr9120ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
125+113.64 грн
173+81.99 грн
241+58.86 грн
500+46.24 грн
1000+39.53 грн
2000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.