IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 22.92 грн |
| 6000+ | 19.41 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 40W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm.
Інші пропозиції IRFR9120NTRPBF за ціною від 23.60 грн до 119.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR9120NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR9120NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR9120NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR9120NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR9120NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 140000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR9120NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR9120NTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 18497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR9120NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR9120NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR9120NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR9120NTRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 20V -100V P-CH FET 480mOhms 18nC |
на замовлення 2951 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRFR9120NTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm |
на замовлення 6311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRFR9120NTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm |
на замовлення 6311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFR9120NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 26.32 грн |
| IRFR9120NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 26.32 грн |
| IRFR9120NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 26.56 грн |
| IRFR9120NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 26.66 грн |
| IRFR9120NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 31.41 грн |
| IRFR9120NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 198+ | 71.59 грн |
| IRFR9120NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 18497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 81.55 грн |
| 10+ | 49.36 грн |
| 50+ | 36.59 грн |
| 100+ | 30.44 грн |
| 500+ | 23.60 грн |
| IRFR9120NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 112.38 грн |
| 11+ | 71.59 грн |
| 25+ | 53.43 грн |
| 100+ | 29.78 грн |
| IRFR9120NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 119.49 грн |
| IRFR9120NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 119+ | 119.49 грн |
| IRFR9120NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 20V -100V P-CH FET 480mOhms 18nC
MOSFETs 20V -100V P-CH FET 480mOhms 18nC
на замовлення 2951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFR9120NTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
на замовлення 6311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR9120NTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
на замовлення 6311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






