Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR9120NTRPBF
IRFR9120NTRPBF

IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies

irfr9120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563607932138
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+26.35 грн
4000+23.43 грн
6000+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 40W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm.

Інші пропозиції IRFR9120NTRPBF за ціною від 25.99 грн до 112.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.14 грн
4000+38.06 грн
6000+37.89 грн
10000+36.17 грн
14000+33.40 грн
20000+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 106000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies irfr9120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563607932138 description Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 7201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.99 грн
10+59.00 грн
100+39.02 грн
500+28.58 грн
1000+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr9120npbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 859 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+103.77 грн
10+65.31 грн
100+41.43 грн
200+36.81 грн
500+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.29 грн
10+81.04 грн
100+58.19 грн
500+45.72 грн
1000+39.08 грн
2000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.29 грн
174+81.04 грн
242+58.19 грн
500+45.72 грн
1000+39.08 грн
2000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
на замовлення 8082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR9120N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs 20V -100V P-CH FET 480mOhms 18nC
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
на замовлення 8082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF description infineonirfr9120ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+43.14 грн
4000+38.06 грн
6000+37.89 грн
10000+36.17 грн
14000+33.40 грн
20000+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF description infineonirfr9120ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 106000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+50.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF description irfr9120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563607932138
IRFR9120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 7201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+96.99 грн
10+59.00 грн
100+39.02 грн
500+28.58 грн
1000+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF description irfr9120npbf.pdf
IRFR9120NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 859 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+103.77 грн
10+65.31 грн
100+41.43 грн
200+36.81 грн
500+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF description infineonirfr9120ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+112.29 грн
10+81.04 грн
100+58.19 грн
500+45.72 грн
1000+39.08 грн
2000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF description infineonirfr9120ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
126+112.29 грн
174+81.04 грн
242+58.19 грн
500+45.72 грн
1000+39.08 грн
2000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF description INFN-S-A0012837716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR9120NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
на замовлення 8082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF description Infineon_IRFR9120N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFR9120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 20V -100V P-CH FET 480mOhms 18nC
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF description INFN-S-A0012837716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR9120NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
на замовлення 8082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.