Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR9120NTRPBF
IRFR9120NTRPBF

IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies

irfr9120pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR9120NTRPBF за ціною від 22.41 грн до 110.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr9120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+28.97 грн
4000+28.69 грн
6000+23.61 грн
10000+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr9120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563607932138 Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+29.53 грн
4000+26.57 грн
6000+25.48 грн
10000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr9120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+30.43 грн
4000+30.12 грн
6000+25.47 грн
10000+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr9120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+31.37 грн
4000+31.06 грн
6000+25.57 грн
10000+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr9120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
607+50.31 грн
Мінімальне замовлення: 607
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Виробник : INFINEON irfr9120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563607932138 Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.84 грн
500+39.47 грн
1000+29.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr9120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
171+71.68 грн
180+67.95 грн
247+49.50 грн
253+46.67 грн
500+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Виробник : INFINEON irfr9120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563607932138 Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+79.56 грн
13+64.37 грн
100+50.84 грн
500+39.47 грн
1000+29.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr9120npbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 39W
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.13 грн
10+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr9120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
128+95.98 грн
200+61.00 грн
500+54.17 грн
1000+40.32 грн
2000+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr9120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+100.25 грн
10+66.56 грн
25+63.10 грн
100+44.33 грн
250+40.13 грн
500+22.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr9120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563607932138 Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 19199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.07 грн
10+64.37 грн
100+43.65 грн
500+32.16 грн
1000+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr9120npbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 39W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.96 грн
10+71.34 грн
31+35.68 грн
83+33.75 грн
1000+32.55 грн
2000+32.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR9120N_DataSheet_v01_01_EN-3363246.pdf MOSFETs 20V -100V P-CH FET 480mOhms 18nC
на замовлення 5457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.72 грн
10+75.89 грн
25+63.05 грн
100+43.99 грн
250+43.85 грн
500+33.11 грн
1000+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF Виробник : International Rectifier irfr9120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563607932138 Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 480mOhm; 6,6A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9120NPBF; IRFR9120NTRLPBF; IRFR9120NTRPBF; SP001578344; SP001576108; SP001557182; IRFR9120N TIRFR9120n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr9120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.