Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS23N20DTRLP
IRFS23N20DTRLP

IRFS23N20DTRLP Infineon Technologies

irfs23n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563628372143
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS23N20DTRLP Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFS23N20DTRLP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFS23N20DTRLP IRFS23N20DTRLP Infineon / IR Infineon_IRFS23N20D_DataSheet_v01_01_EN-1732677.pdf MOSFET MOSFT 200V 24A 100mOhm 57nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRLP IRFS23N20DTRLP INFINEON 696911.pdf Description: INFINEON - IRFS23N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.1 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 170
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRLP IRFS23N20DTRLP INFINEON 696911.pdf Description: INFINEON - IRFS23N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.1 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 170
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRLP Infineon_IRFS23N20D_DataSheet_v01_01_EN-1732677.pdf
IRFS23N20DTRLP
Виробник: Infineon / IR
MOSFET MOSFT 200V 24A 100mOhm 57nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRLP 696911.pdf
IRFS23N20DTRLP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS23N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.1 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 170
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRLP 696911.pdf
IRFS23N20DTRLP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS23N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.1 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 170
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.