IRFS3004TRLPBF

IRFS3004TRLPBF Infineon Technologies


infineon-irfs3004-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+130.78 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS3004TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS3004TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.00175 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00175ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS3004TRLPBF за ціною від 112.11 грн до 378.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS3004TRLPBF IRFS3004TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3004-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+153.37 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBF IRFS3004TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3004-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+164.19 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBF IRFS3004TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3004-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+172.04 грн
77+160.63 грн
100+129.64 грн
500+124.23 грн
1600+112.11 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBF IRFS3004TRLPBF Виробник : INFINEON 356274.pdf Description: INFINEON - IRFS3004TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.00175 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+173.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBF IRFS3004TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3004-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+175.73 грн
73+169.03 грн
100+163.30 грн
250+152.69 грн
500+137.53 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBF IRFS3004TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3004-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
165+185.49 грн
500+176.32 грн
1000+166.13 грн
Мінімальне замовлення: 165
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBF IRFS3004TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3004-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+195.12 грн
71+172.29 грн
73+169.19 грн
100+127.06 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBF IRFS3004TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3004-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+203.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBF IRFS3004TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3004-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+209.05 грн
10+184.59 грн
25+181.27 грн
100+136.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBF IRFS3004TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS3004_DataSheet_v01_01_EN-3363434.pdf MOSFETs MOSFT 40V 195A 1.7mOhm 160nC Qg
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.35 грн
10+198.73 грн
25+166.01 грн
100+141.11 грн
250+134.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBF IRFS3004TRLPBF Виробник : INFINEON 356274.pdf Description: INFINEON - IRFS3004TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.00175 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+282.73 грн
10+240.41 грн
100+173.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBF IRFS3004TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs3004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356363a642149 Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+378.75 грн
10+241.63 грн
100+172.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBF IRFS3004TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3004-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs3004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356363a642149 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; Idm: 1.31kA; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 1.31kA
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBF IRFS3004TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs3004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356363a642149 Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBF IRFS3004TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3004-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs3004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356363a642149 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; Idm: 1.31kA; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 1.31kA
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.