IRFS3004TRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 95.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS3004TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS3004TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 380W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRFS3004TRLPBF за ціною від 105.61 грн до 309.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFS3004TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS3004TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS3004TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS3004TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS3004TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFS3004TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS3004TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS3004TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 27200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS3004TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 48800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS3004TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS3004TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFS3004TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS3004TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 380W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFS3004TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 40V 195A 1.7mOhm 160nC Qg |
на замовлення 1746 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFS3004TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V |
на замовлення 839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS3004TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS3004TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 380W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS3004TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IRFS3004TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; Idm: 1.31kA; 380W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 240A Pulsed drain current: 1.31kA Power dissipation: 380W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.75mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IRFS3004TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; Idm: 1.31kA; 380W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 240A Pulsed drain current: 1.31kA Power dissipation: 380W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.75mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |