 
IRFS3006TRL7PP Infineon Technologies
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 800+ | 111.23 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS3006TRL7PP Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS3006TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025). 
Інші пропозиції IRFS3006TRL7PP за ціною від 112.26 грн до 290.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | IRFS3006TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 5600 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||
|   | IRFS3006TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3200 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||
|   | IRFS3006TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |  Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 168A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8850 pF @ 50 V | на замовлення 4000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||
|   | IRFS3006TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 16800 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||
|   | IRFS3006TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 22400 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||
|   | IRFS3006TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 33600 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||
|   | IRFS3006TRL7PP | Виробник : INFINEON |  Description: INFINEON - IRFS3006TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 228 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||
|   | IRFS3006TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||
|   | IRFS3006TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 194 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||
|   | IRFS3006TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||
|   | IRFS3006TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 44800 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||
|   | IRFS3006TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 194 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||
|   | IRFS3006TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 17600 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||
|   | IRFS3006TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 38400 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||
|   | IRFS3006TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 253600 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||
|   | IRFS3006TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |  Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 168A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8850 pF @ 50 V | на замовлення 4395 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||
|   | IRFS3006TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |  MOSFETs MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg | на замовлення 2478 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||
|   | IRFS3006TRL7PP | Виробник : INFINEON |  Description: INFINEON - IRFS3006TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 228 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||
|   | IRFS3006TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||
|   | IRFS3006TRL7PP | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 293A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 293A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності |