Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS3006TRLPBF
IRFS3006TRLPBF

IRFS3006TRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+98.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS3006TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS3006TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2500 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS3006TRLPBF за ціною від 122.63 грн до 357.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs3006pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356364a7a214f Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+126.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+150.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3006datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+153.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3006datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+163.85 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+169.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+174.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+177.75 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 488000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
167+183.02 грн
500+172.85 грн
1000+163.70 грн
10000+148.05 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
167+183.02 грн
500+172.85 грн
1000+163.70 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+188.75 грн
73+168.01 грн
100+161.79 грн
200+155.01 грн
500+134.26 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3006TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2500 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+192.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
64+192.47 грн
66+185.14 грн
100+178.85 грн
250+167.23 грн
500+150.63 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3006datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+195.22 грн
71+172.44 грн
500+141.53 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+218.60 грн
66+187.08 грн
100+186.07 грн
200+173.54 грн
500+148.88 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3006datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+221.62 грн
10+193.73 грн
25+141.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+242.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS3006_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.45 грн
10+233.86 грн
25+195.74 грн
100+153.09 грн
250+152.33 грн
800+122.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs3006pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356364a7a214f Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+312.26 грн
10+221.83 грн
100+157.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3006TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2500 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+357.14 грн
10+266.58 грн
100+192.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3006datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3006datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs3006pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356364a7a214f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 191A; Idm: 1.08kA; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 191A
Pulsed drain current: 1.08kA
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs3006pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356364a7a214f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 191A; Idm: 1.08kA; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 191A
Pulsed drain current: 1.08kA
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.