Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS3006TRLPBF
IRFS3006TRLPBF

IRFS3006TRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+93.97 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS3006TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS3006TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS3006TRLPBF за ціною від 114.77 грн до 362.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs3006pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356364a7a214f Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+144.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+150.77 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+163.93 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
74+164.72 грн
75+163.91 грн
100+130.64 грн
500+125.19 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+169.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+173.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+177.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+188.29 грн
73+167.60 грн
100+161.40 грн
200+154.64 грн
500+133.94 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
64+192.00 грн
66+184.69 грн
100+178.42 грн
250+166.83 грн
500+150.27 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3006TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+192.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+210.97 грн
10+182.94 грн
25+182.04 грн
100+128.31 грн
250+114.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 488000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
143+213.00 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
143+213.00 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+218.07 грн
66+186.63 грн
100+185.62 грн
200+173.12 грн
500+148.52 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
54+227.20 грн
62+197.02 грн
63+196.04 грн
100+138.18 грн
250+123.60 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+242.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs3006pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356364a7a214f Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+343.82 грн
10+235.76 грн
100+168.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS3006_DataSheet_v01_01_EN-3363375.pdf MOSFETs MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+353.88 грн
10+258.70 грн
25+206.09 грн
100+166.18 грн
500+165.45 грн
800+143.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3006TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+362.25 грн
10+267.82 грн
100+192.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs3006pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356364a7a214f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 191A; Idm: 1.08kA; 375W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 191A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.08kA
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs3006pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356364a7a214f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 191A; Idm: 1.08kA; 375W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 191A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.08kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.