Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS3107TRL7PP
IRFS3107TRL7PP

IRFS3107TRL7PP Infineon Technologies

infineon-irfs3107-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+125.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS3107TRL7PP Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS3107TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 260 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS3107TRL7PP за ціною від 156.90 грн до 425.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP Виробник : Infineon Technologies irfs3107-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636518c2152 Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+156.90 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP Виробник : Infineon Technologies infineonirfs31077pdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+183.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP Виробник : Infineon Technologies infineonirfs31077pdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+196.34 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3107TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 260 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+240.94 грн
500+217.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP Виробник : Infineon Technologies irfs3107-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636518c2152 Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
на замовлення 3084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+371.58 грн
10+254.68 грн
100+194.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP Виробник : Infineon Technologies infineonirfs31077pdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+392.87 грн
50+300.96 грн
100+288.76 грн
200+225.11 грн
500+197.54 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP Виробник : Infineon Technologies infineonirfs31077pdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+392.99 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP Виробник : Infineon Technologies infineonirfs31077pdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+400.19 грн
50+306.65 грн
100+295.26 грн
200+229.81 грн
500+199.72 грн
800+180.57 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3107TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 260 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+425.50 грн
10+309.30 грн
100+240.94 грн
500+217.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP Виробник : Infineon Technologies infineonirfs31077pdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP Виробник : Infineon Technologies infineonirfs31077pdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C6598EDC0AF1A303005056AB0C4F&compId=irfs3107-7ppbf.pdf?ci_sign=dd1aaaf504943348c941b72ad1047f40431fe658 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 260A; 370W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 260A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFS3107-7P-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 260A 2.6mOhm 160nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C6598EDC0AF1A303005056AB0C4F&compId=irfs3107-7ppbf.pdf?ci_sign=dd1aaaf504943348c941b72ad1047f40431fe658 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 260A; 370W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 260A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.