IRFS3107TRL7PP Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 152.65 грн |
| 1600+ | 138.16 грн |
| 2400+ | 137.57 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS3107TRL7PP Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS3107TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 260 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 370W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm.
Інші пропозиції IRFS3107TRL7PP за ціною від 156.50 грн до 500.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFS3107TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFS3107TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFS3107TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFS3107TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFS3107TRL7PP | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 160A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V |
на замовлення 5160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFS3107TRL7PP | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 260A 2.6mOhm 160nC |
на замовлення 3759 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFS3107TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFS3107TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFS3107TRL7PP | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS3107TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 260 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 370W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm |
на замовлення 907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRFS3107TRL7PP | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS3107TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 260 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 370W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm |
на замовлення 907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFS3107TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 207.24 грн |
| IRFS3107TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 207.50 грн |
| IRFS3107TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 140+ | 255.10 грн |
| 500+ | 240.86 грн |
| IRFS3107TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 140+ | 255.10 грн |
| 500+ | 240.86 грн |
| IRFS3107TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
на замовлення 5160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 401.09 грн |
| 10+ | 257.59 грн |
| 100+ | 184.92 грн |
| IRFS3107TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 260A 2.6mOhm 160nC
MOSFETs MOSFT 75V 260A 2.6mOhm 160nC
на замовлення 3759 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 414.66 грн |
| 10+ | 285.11 грн |
| 100+ | 177.71 грн |
| 500+ | 168.94 грн |
| 800+ | 156.50 грн |
| IRFS3107TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 500.23 грн |
| 50+ | 355.95 грн |
| 100+ | 350.25 грн |
| 200+ | 258.11 грн |
| 500+ | 223.74 грн |
| 800+ | 210.72 грн |
| IRFS3107TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 500.23 грн |
| 50+ | 355.95 грн |
| 100+ | 350.25 грн |
| 200+ | 258.11 грн |
| 500+ | 226.28 грн |
| 800+ | 210.72 грн |
| 1600+ | 177.73 грн |
| IRFS3107TRL7PP |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3107TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 260 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
Description: INFINEON - IRFS3107TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 260 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFS3107TRL7PP |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3107TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 260 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
Description: INFINEON - IRFS3107TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 260 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





