Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS3107TRLPBF
IRFS3107TRLPBF

IRFS3107TRLPBF Infineon Technologies

irfs3107pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356365a922154
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+147.65 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS3107TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS3107TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 370W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm.

Інші пропозиції IRFS3107TRLPBF за ціною від 154.90 грн до 422.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF Infineon Technologies irl3803spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+179.81 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF Infineon Technologies irl3803spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+179.81 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF Infineon Technologies irl3803spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+210.50 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF Infineon Technologies irl3803spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+210.78 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF Infineon Technologies irfs3107pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356365a922154 Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V
на замовлення 8842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.63 грн
10+236.55 грн
100+168.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF Infineon Technologies irl3803spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+422.42 грн
51+279.10 грн
100+273.44 грн
500+189.12 грн
800+154.90 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRFS3107_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 230A 3mOhm 160nC Qg
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3107TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3107TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF International Rectifier HiRel Products irfs3107pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356365a922154 Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+207.44 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF irl3803spbf.pdf
IRFS3107TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+179.81 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF irl3803spbf.pdf
IRFS3107TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+179.81 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF irl3803spbf.pdf
IRFS3107TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+210.50 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF irl3803spbf.pdf
IRFS3107TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+210.78 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF irfs3107pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356365a922154
IRFS3107TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V
на замовлення 8842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+369.63 грн
10+236.55 грн
100+168.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF irl3803spbf.pdf
IRFS3107TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+422.42 грн
51+279.10 грн
100+273.44 грн
500+189.12 грн
800+154.90 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF Infineon_IRFS3107_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFS3107TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 230A 3mOhm 160nC Qg
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF INFN-S-A0012838786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS3107TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3107TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF INFN-S-A0012838786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS3107TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3107TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF irfs3107pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356365a922154
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
171+207.44 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.