IRFS3107TRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 100.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS3107TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS3107TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFS3107TRLPBF за ціною від 124.48 грн до 413.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFS3107TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFS3107TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS3107TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS3107TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFS3107TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS3107TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS3107TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V |
на замовлення 5855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS3107TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFS3107TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 230A 3mOhm 160nC Qg |
на замовлення 2556 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS3107TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS3107TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRFS3107TRLPBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|