Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS3107TRLPBF
IRFS3107TRLPBF

IRFS3107TRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfs3107-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+94.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS3107TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS3107TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS3107TRLPBF за ціною від 147.34 грн до 439.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3107-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+155.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs3107pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356365a922154 Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+158.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3107-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+167.59 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3107-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+168.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3107-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+179.31 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3107-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+191.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3107TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+196.89 грн
250+178.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3107-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+370.91 грн
50+260.29 грн
200+197.66 грн
500+178.83 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS3107_DataSheet_v01_01_EN-3363376.pdf MOSFETs MOSFT 75V 230A 3mOhm 160nC Qg
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+391.54 грн
10+272.13 грн
100+180.83 грн
500+169.66 грн
800+150.32 грн
2400+149.57 грн
4800+147.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs3107pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356365a922154 Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V
на замовлення 11057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+401.67 грн
10+259.29 грн
100+186.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3107TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+439.92 грн
10+294.67 грн
50+293.84 грн
100+196.89 грн
250+178.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3107-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3107-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C6598EDC0AF1A303005056AB0C4F&compId=irfs3107-7ppbf.pdf?ci_sign=dd1aaaf504943348c941b72ad1047f40431fe658 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 370W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C6598EDC0AF1A303005056AB0C4F&compId=irfs3107-7ppbf.pdf?ci_sign=dd1aaaf504943348c941b72ad1047f40431fe658 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 370W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.