Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > IRFS31N20DTRLP

IRFS31N20DTRLP International Rectifier

Name: IRFS31N20DTRLP
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: 459850228-1
Price: 66392 UAH
Availability: BackOrder

irfb31n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561547951df1

Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 31A 200V 3,1W IRFS31N20D TIRFS31N20D
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	59.78 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRFS31N20DTRLP International Rectifier

Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFS31N20DTRLP

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IRFS31N20DTRLP (D2-PAK) Код товару: 160050 Додати до обраних Обраний товар		Транзистори > Польові N-канальні	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFS31N20DTRLP	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFS31N20DTRLP	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 31A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 31A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 800 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFS31N20DTRLP	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFS31N20DTRLP	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFS31N20DTRLP	Виробник : Infineon / IR	MOSFET MOSFT 200V 31A 82mOhm 70nC	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFS31N20DTRLP	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 31A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 31A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET®	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.