Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFS31N20DTRLP (D2-PAK)

IRFS31N20DTRLP (D2-PAK)

Код товару: 160050

Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Інші пропозиції IRFS31N20DTRLP (D2-PAK)

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
IRFS31N20DTRLP	International Rectifier	D2PAK Транзистори	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFS31N20DTRLP	Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
IRFS31N20DTRLP	Infineon Technologies	MOSFETs MOSFT 200V 31A 82mOhm 70nC	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
IRFS31N20DTRLP	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 31A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 31A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн.
IRFS31N20DTRLP	Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн.

IRFS31N20DTRLP

Виробник: International Rectifier
D2PAK Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFS31N20DTRLP

irfb31n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561547951df1

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFS31N20DTRLP

Infineon_IRFS31N20D_DataSheet_v01_01_EN-3363262.pdf

Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 31A 82mOhm 70nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFS31N20DTRLP

Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 31A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 31A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFS31N20DTRLP

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.