Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS3206TRRPBF
IRFS3206TRRPBF

IRFS3206TRRPBF Infineon Technologies

irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+79.49 грн
1600+71.17 грн
2400+68.44 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS3206TRRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm.

Інші пропозиції IRFS3206TRRPBF за ціною від 75.99 грн до 312.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFS3206TRRPBF IRFS3206TRRPBF Infineon Technologies irl3803vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+108.57 грн
1600+106.50 грн
2400+105.23 грн
4000+97.33 грн
5600+89.22 грн
8000+75.99 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF IRFS3206TRRPBF Infineon Technologies irl3803vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+108.90 грн
1600+106.83 грн
2400+105.56 грн
4000+97.64 грн
5600+89.50 грн
8000+76.23 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF IRFS3206TRRPBF Infineon Technologies irl3803vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+117.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF IRFS3206TRRPBF Infineon Technologies irl3803vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+117.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF IRFS3206TRRPBF Infineon Technologies irl3803vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF IRFS3206TRRPBF Infineon Technologies irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.16 грн
10+143.63 грн
100+99.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF IRFS3206TRRPBF INFINEON IRSDS19276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.54 грн
10+187.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF IRFS3206TRRPBF Infineon Technologies irl3803vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+312.13 грн
66+217.44 грн
105+135.00 грн
800+111.37 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF IRFS3206TRRPBF INFINEON IRSDS19276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF irl3803vpbf.pdf
IRFS3206TRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+108.57 грн
1600+106.50 грн
2400+105.23 грн
4000+97.33 грн
5600+89.22 грн
8000+75.99 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF irl3803vpbf.pdf
IRFS3206TRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+108.90 грн
1600+106.83 грн
2400+105.56 грн
4000+97.64 грн
5600+89.50 грн
8000+76.23 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF irl3803vpbf.pdf
IRFS3206TRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+117.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF irl3803vpbf.pdf
IRFS3206TRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+117.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF irl3803vpbf.pdf
IRFS3206TRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
223+159.11 грн
500+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a
IRFS3206TRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+229.16 грн
10+143.63 грн
100+99.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF IRSDS19276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS3206TRRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+307.54 грн
10+187.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF irl3803vpbf.pdf
IRFS3206TRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
46+312.13 грн
66+217.44 грн
105+135.00 грн
800+111.37 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF IRSDS19276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS3206TRRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.