Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS3206TRRPBF
IRFS3206TRRPBF

IRFS3206TRRPBF Infineon Technologies

infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+66.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS3206TRRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0024 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS3206TRRPBF за ціною від 87.00 грн до 288.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS3206TRRPBF IRFS3206TRRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+87.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF IRFS3206TRRPBF Виробник : Infineon Technologies irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+95.50 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF IRFS3206TRRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+112.27 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF IRFS3206TRRPBF Виробник : INFINEON IRSDS19276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0024 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+158.78 грн
250+145.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF IRFS3206TRRPBF Виробник : INFINEON IRSDS19276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0024 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+225.17 грн
10+197.24 грн
50+184.54 грн
100+158.78 грн
250+145.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF IRFS3206TRRPBF Виробник : Infineon Technologies irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 5763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.29 грн
10+178.90 грн
100+125.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF IRFS3206TRRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS3206_DataSheet_v01_01_EN-3363307.pdf MOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.76 грн
10+202.20 грн
100+123.76 грн
250+122.25 грн
500+121.49 грн
800+94.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF IRFS3206TRRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF IRFS3206TRRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF IRFS3206TRRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF IRFS3206TRRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C696F861C1F1A303005056AB0C4F&compId=irfs3206pbf.pdf?ci_sign=f600ccb40e2eaf3741d1c40e5d7debb5a1899fde Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF IRFS3206TRRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C696F861C1F1A303005056AB0C4F&compId=irfs3206pbf.pdf?ci_sign=f600ccb40e2eaf3741d1c40e5d7debb5a1899fde Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.