IRFS3206TRRPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 107.30 грн |
| 1600+ | 106.22 грн |
| 2400+ | 105.16 грн |
| 4000+ | 100.39 грн |
| 5600+ | 78.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS3206TRRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm.
Інші пропозиції IRFS3206TRRPBF за ціною від 79.13 грн до 308.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFS3206TRRPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 12800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFS3206TRRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFS3206TRRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFS3206TRRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFS3206TRRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IRFS3206TRRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFS3206TRRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 107.54 грн |
| 1600+ | 106.46 грн |
| 2400+ | 105.40 грн |
| 4000+ | 100.62 грн |
| 5600+ | 79.13 грн |
| IRFS3206TRRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 223+ | 158.05 грн |
| 500+ | 142.83 грн |
| IRFS3206TRRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 308.59 грн |
| 10+ | 215.02 грн |
| 100+ | 133.53 грн |
| 800+ | 110.15 грн |
| IRFS3206TRRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 308.59 грн |
| 66+ | 215.02 грн |
| 106+ | 133.53 грн |
| 800+ | 110.15 грн |
| IRFS3206TRRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
Description: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFS3206TRRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
Description: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)