
IRFS3207TRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 77.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS3207TRLPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFS3207TRLPBF за ціною від 87.80 грн до 255.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFS3207TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS3207TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS3207TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS3207TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS3207TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS3207TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS3207TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS3207TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS3207TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V |
на замовлення 1749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS3207TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1124 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS3207TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFS3207TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 180A; 330W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Drain-source voltage: 75V Drain current: 180A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 330W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFS3207TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 180A; 330W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Drain-source voltage: 75V Drain current: 180A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 330W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |