IRFS3207ZPBF International Rectifier


irfs3207zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563679b62161
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 75V; 170A; 300W; D2PAK Транзистори
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS3207ZPBF International Rectifier

Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IRFS3207ZPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS3207ZPBF IRFS3207ZPBF Infineon Technologies irfs3207zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563679b62161 Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207ZPBF IRFS3207ZPBF Infineon Technologies Infineon_IRFS3207Z_DataSheet_v01_01_EN-3363247.pdf MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 120nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207ZPBF irfs3207zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563679b62161
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207ZPBF Infineon_IRFS3207Z_DataSheet_v01_01_EN-3363247.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 120nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.