Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS3207ZTRRPBF
IRFS3207ZTRRPBF

IRFS3207ZTRRPBF Infineon Technologies

infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
173+203.71 грн
500+193.17 грн
1000+182.64 грн
10000+164.82 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS3207ZTRRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS3207ZTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS3207ZTRRPBF за ціною від 193.17 грн до 203.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFS3207ZTRRPBF IRFS3207ZTRRPBF Infineon Technologies infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+203.71 грн
500+193.17 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207ZTRRPBF IRFS3207ZTRRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFS3207Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207ZTRRPBF IRFS3207ZTRRPBF INFINEON INFN-S-A0012838143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3207ZTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207ZTRRPBF IRFS3207ZTRRPBF INFINEON INFN-S-A0012838143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3207ZTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207ZTRRPBF infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf
IRFS3207ZTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
173+203.71 грн
500+193.17 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207ZTRRPBF Infineon_IRFS3207Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFS3207ZTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207ZTRRPBF INFN-S-A0012838143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS3207ZTRRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3207ZTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207ZTRRPBF INFN-S-A0012838143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS3207ZTRRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3207ZTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.