Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS3306TRLPBF
IRFS3306TRLPBF

IRFS3306TRLPBF Infineon Technologies

infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+88.01 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS3306TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS3306TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFS3306TRLPBF за ціною від 69.72 грн до 283.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+88.01 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Infineon Technologies irfs3306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165 Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+89.98 грн
1600+80.71 грн
2400+77.69 грн
4000+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+117.59 грн
1600+109.67 грн
2400+105.94 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+117.74 грн
1600+109.81 грн
2400+106.09 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+173.07 грн
10+137.44 грн
20+125.56 грн
50+111.99 грн
100+101.81 грн
200+97.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRFS3306_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.91 грн
10+164.54 грн
100+100.09 грн
500+89.51 грн
800+78.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Infineon Technologies irfs3306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165 Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
на замовлення 8518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.12 грн
10+160.73 грн
100+112.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837586-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3306TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+283.69 грн
10+185.02 грн
100+129.92 грн
500+107.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf
IRFS3306TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+88.01 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF irfs3306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165
IRFS3306TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+89.98 грн
1600+80.71 грн
2400+77.69 грн
4000+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf
IRFS3306TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+117.59 грн
1600+109.67 грн
2400+105.94 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf
IRFS3306TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+117.74 грн
1600+109.81 грн
2400+106.09 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF irfs3306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165
IRFS3306TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+173.07 грн
10+137.44 грн
20+125.56 грн
50+111.99 грн
100+101.81 грн
200+97.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF Infineon_IRFS3306_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFS3306TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+254.91 грн
10+164.54 грн
100+100.09 грн
500+89.51 грн
800+78.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF irfs3306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165
IRFS3306TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
на замовлення 8518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+256.12 грн
10+160.73 грн
100+112.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF INFN-S-A0012837586-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS3306TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3306TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+283.69 грн
10+185.02 грн
100+129.92 грн
500+107.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.