Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS3306TRLPBF
IRFS3306TRLPBF

IRFS3306TRLPBF Infineon Technologies

infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+44.17 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS3306TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS3306TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS3306TRLPBF за ціною від 47.32 грн до 257.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+47.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3306-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+65.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs3306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165 Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+88.02 грн
1600+80.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3306-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+96.04 грн
1600+93.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+97.54 грн
1600+94.14 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+98.20 грн
1600+92.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+104.82 грн
1600+101.17 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837586-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3306TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+134.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs3306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.91 грн
10+134.49 грн
20+123.83 грн
50+109.07 грн
100+99.23 грн
200+93.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
197+162.68 грн
500+146.74 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
197+162.68 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs3306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 376 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.27 грн
10+161.39 грн
20+148.59 грн
50+130.88 грн
100+119.07 грн
200+112.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS3306_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.78 грн
10+175.64 грн
100+107.85 грн
500+79.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837586-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3306TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+242.86 грн
10+190.76 грн
100+134.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+244.13 грн
67+191.39 грн
100+187.99 грн
500+127.14 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs3306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165 Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
на замовлення 8524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.18 грн
10+162.04 грн
100+113.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.