Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS3307ZTRLPBF
IRFS3307ZTRLPBF

IRFS3307ZTRLPBF Infineon Technologies

irfs3307zpbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+55.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS3307ZTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS3307ZTRLPBF за ціною від 61.98 грн до 280.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+61.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs3307zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563691d7216c Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+101.43 грн
1600+95.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+109.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+117.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
102+120.09 грн
127+96.56 грн
134+90.88 грн
500+77.70 грн
1600+71.29 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 68800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+125.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : INFINEON 1485745.pdf Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+135.13 грн
500+123.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
86+143.06 грн
97+125.85 грн
98+125.37 грн
111+106.65 грн
250+97.74 грн
500+85.55 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 38942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
199+153.16 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
199+153.16 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
199+153.16 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : INFINEON 1485745.pdf Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+264.56 грн
10+183.16 грн
100+135.13 грн
500+123.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS3307Z_DataSheet_v01_01_EN-3363248.pdf MOSFETs MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.99 грн
10+186.93 грн
100+119.73 грн
500+117.56 грн
800+103.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs3307zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563691d7216c Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V
на замовлення 3265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.23 грн
10+177.41 грн
100+125.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFS3307ZTRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFS3307ZTRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.