Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS3307ZTRLPBF
IRFS3307ZTRLPBF

IRFS3307ZTRLPBF Infineon Technologies

irfs3307zpbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+58.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS3307ZTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS3307ZTRLPBF за ціною від 93.42 грн до 305.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs3307zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563691d7216c Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+106.46 грн
1600+100.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
210+145.40 грн
500+138.28 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
210+145.40 грн
500+138.28 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 38942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
210+145.40 грн
500+138.28 грн
1000+130.14 грн
10000+118.63 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+267.61 грн
67+183.83 грн
100+148.85 грн
500+130.99 грн
800+116.20 грн
1600+93.42 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS3307Z_DataSheet_v01_01_EN-3363248.pdf MOSFETs MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.68 грн
10+196.20 грн
100+125.67 грн
500+123.39 грн
800+108.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs3307zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563691d7216c Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V
на замовлення 3265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.13 грн
10+186.21 грн
100+131.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : INFINEON 1485745.pdf Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+305.02 грн
10+212.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : INFINEON 1485745.pdf Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF49FF83CD95EA&compId=IRFS3307ZTRLPBF.pdf?ci_sign=106fcfce984a17d8761c0f0f26faa5bffc97d713 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF49FF83CD95EA&compId=IRFS3307ZTRLPBF.pdf?ci_sign=106fcfce984a17d8761c0f0f26faa5bffc97d713 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.