IRFS3307ZTRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 51.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS3307ZTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 230W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRFS3307ZTRLPBF за ціною від 63.86 грн до 230.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFS3307ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS3307ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFS3307ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS3307ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 11078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS3307ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFS3307ZTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 230W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS3307ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 75200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS3307ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS3307ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFS3307ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V |
на замовлення 36800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFS3307ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg |
на замовлення 3698 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS3307ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V |
на замовлення 37607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS3307ZTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 230W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFS3307ZTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; D2PAK Power dissipation: 230W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFS3307ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFS3307ZTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; D2PAK Power dissipation: 230W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |