
IRFS3307ZTRRPBF Infineon Technologies
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 23.85 грн |
1600+ | 23.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS3307ZTRRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFS3307ZTRRPBF за ціною від 25.41 грн до 274.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFS3307ZTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS3307ZTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS3307ZTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS3307ZTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 29600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS3307ZTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 28800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS3307ZTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 27200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS3307ZTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 37713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS3307ZTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS3307ZTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V |
на замовлення 1198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS3307ZTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IRFS3307ZTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |