Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS3607TRLPBF
IRFS3607TRLPBF

IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies

infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+71.77 грн
12+62.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS3607TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS3607TRLPBF за ціною від 30.83 грн до 134.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS3607TRLPBF
Код товару: 200325
Додати до обраних Обраний товар

irfs3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636a42b2176 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3607-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+30.83 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636a42b2176 Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+39.90 грн
1600+37.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+45.70 грн
2400+45.23 грн
4000+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+48.88 грн
1600+48.87 грн
2400+48.39 грн
4000+45.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
212+57.75 грн
237+51.65 грн
248+49.21 грн
1000+44.62 грн
Мінімальне замовлення: 212
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : INFINEON 1911635.pdf Description: INFINEON - IRFS3607TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.55 грн
500+60.54 грн
1500+40.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
169+72.27 грн
171+71.61 грн
172+70.95 грн
250+67.78 грн
500+62.17 грн
1000+59.12 грн
3000+58.55 грн
6000+57.99 грн
Мінімальне замовлення: 169
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+78.14 грн
10+77.43 грн
25+76.73 грн
100+73.31 грн
250+67.25 грн
500+63.95 грн
1000+63.35 грн
3000+62.73 грн
6000+62.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636a42b2176 Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
на замовлення 7465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.69 грн
10+75.21 грн
100+59.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFS3607-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
на замовлення 6527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.63 грн
10+82.07 грн
100+56.36 грн
500+54.53 грн
800+38.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
103+118.74 грн
108+113.43 грн
250+108.88 грн
500+101.20 грн
1000+90.65 грн
2500+84.45 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : INFINEON 1911635.pdf Description: INFINEON - IRFS3607TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+134.14 грн
50+90.57 грн
100+69.55 грн
500+60.54 грн
1500+40.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C788DD8CBFF1A303005056AB0C4F&compId=irfs3607pbf.pdf?ci_sign=bd195fc092e1dd6bd534dd7e189505e734d16645 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C788DD8CBFF1A303005056AB0C4F&compId=irfs3607pbf.pdf?ci_sign=bd195fc092e1dd6bd534dd7e189505e734d16645 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.