
IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
117+ | 104.45 грн |
122+ | 99.77 грн |
250+ | 95.77 грн |
500+ | 89.02 грн |
1000+ | 79.74 грн |
2500+ | 74.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS3607TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.00734 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFS3607TRLPBF за ціною від 28.36 грн до 126.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFS3607TRLPBF Код товару: 200325
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
IRFS3607TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFS3607TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFS3607TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFS3607TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFS3607TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFS3607TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 16800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFS3607TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V |
на замовлення 18400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFS3607TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFS3607TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFS3607TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFS3607TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFS3607TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFS3607TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 13137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFS3607TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFS3607TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFS3607TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFS3607TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5098 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFS3607TRLPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFS3607TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V |
на замовлення 18866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFS3607TRLPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFS3607TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFS3607TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFS3607TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 140W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFS3607TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFS3607TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 140W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |