Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS3607TRLPBF
IRFS3607TRLPBF

IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfs3607-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS3607TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS3607TRLPBF за ціною від 37.08 грн до 154.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+47.42 грн
1600+46.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636a42b2176 Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+48.39 грн
1600+42.97 грн
2400+41.12 грн
4000+37.08 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+48.80 грн
1600+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+49.51 грн
1600+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+52.45 грн
1600+51.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
189+67.54 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF
Код товару: 200325
Додати до обраних Обраний товар

irfs3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636a42b2176 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : INFINEON 1911635.pdf Description: INFINEON - IRFS3607TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.89 грн
500+62.57 грн
1500+42.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+72.57 грн
12+65.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
175+73.24 грн
176+72.55 грн
178+71.86 грн
250+68.63 грн
500+62.93 грн
1000+59.82 грн
3000+59.23 грн
6000+58.64 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+78.47 грн
25+77.73 грн
100+74.25 грн
250+68.09 грн
500+64.73 грн
1000+64.10 грн
3000+63.46 грн
6000+62.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS3607_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
на замовлення 4352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.05 грн
10+86.46 грн
100+58.26 грн
500+57.31 грн
800+39.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
103+124.18 грн
108+118.62 грн
250+113.87 грн
500+105.84 грн
1000+94.80 грн
2500+88.32 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : INFINEON 1911635.pdf Description: INFINEON - IRFS3607TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+138.65 грн
50+93.61 грн
100+71.89 грн
500+62.57 грн
1500+42.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636a42b2176 Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
на замовлення 9560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.14 грн
10+94.63 грн
100+64.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C788DD8CBFF1A303005056AB0C4F&compId=irfs3607pbf.pdf?ci_sign=bd195fc092e1dd6bd534dd7e189505e734d16645 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.