Інші пропозиції IRFS3607TRLPBF за ціною від 38.69 грн до 199.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 54400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 54400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFS3607TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS3607TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 11397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg |
на замовлення 2641 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFS3607TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS3607TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V |
на замовлення 2248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | International Rectifier HiRel Products |
IRFS3607TRLPBF |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFS3607TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 42.63 грн |
| IRFS3607TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 57.14 грн |
| 1600+ | 50.74 грн |
| IRFS3607TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 59.06 грн |
| 3200+ | 55.27 грн |
| IRFS3607TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 59.06 грн |
| 3200+ | 55.27 грн |
| IRFS3607TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 54400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 59.91 грн |
| 3200+ | 56.08 грн |
| 6400+ | 54.33 грн |
| IRFS3607TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 54400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 60.06 грн |
| 3200+ | 56.23 грн |
| 6400+ | 54.47 грн |
| IRFS3607TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 233+ | 60.72 грн |
| 250+ | 60.51 грн |
| 500+ | 58.14 грн |
| 1000+ | 53.64 грн |
| 3000+ | 51.31 грн |
| 6000+ | 51.13 грн |
| IRFS3607TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 61.15 грн |
| 25+ | 60.94 грн |
| 100+ | 58.55 грн |
| 250+ | 54.02 грн |
| 500+ | 51.68 грн |
| 1000+ | 51.50 грн |
| 3000+ | 51.31 грн |
| 6000+ | 51.13 грн |
| IRFS3607TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3607TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFS3607TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 66.77 грн |
| 500+ | 55.51 грн |
| 1500+ | 43.77 грн |
| IRFS3607TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 103+ | 138.50 грн |
| 151+ | 93.79 грн |
| 800+ | 70.34 грн |
| 1600+ | 62.55 грн |
| 2400+ | 56.07 грн |
| IRFS3607TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 158.70 грн |
| 10+ | 93.21 грн |
| 100+ | 56.53 грн |
| 500+ | 43.98 грн |
| 800+ | 38.77 грн |
| 4800+ | 38.69 грн |
| IRFS3607TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3607TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFS3607TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 172.68 грн |
| 50+ | 94.56 грн |
| 100+ | 66.77 грн |
| 500+ | 55.51 грн |
| 1500+ | 43.77 грн |
| IRFS3607TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 176.03 грн |
| 10+ | 108.35 грн |
| 100+ | 73.36 грн |
| IRFS3607TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 71+ | 199.59 грн |
| IRFS3607TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFS3607TRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
IRFS3607TRLPBF
IRFS3607TRLPBF
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 396+ | 89.30 грн |
| 500+ | 80.37 грн |
| 1000+ | 74.12 грн |






