IRFS3607TRLPBF


irfs3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636a42b2176
Код товару: 200325
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFS3607TRLPBF за ціною від 58.74 грн до 294.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.74 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+58.74 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 38400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+66.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 38400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+66.84 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+67.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+67.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies irfs3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636a42b2176 Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+73.71 грн
2400+63.23 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+135.26 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+138.92 грн
800+95.52 грн
2400+85.09 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies irfs3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636a42b2176 Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
на замовлення 12134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.74 грн
10+135.03 грн
50+103.23 грн
100+87.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+294.67 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies irfs3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636a42b2176 MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF INFINEON 1911635.pdf Description: INFINEON - IRFS3607TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 4907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF INFINEON 1911635.pdf Description: INFINEON - IRFS3607TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 4907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+58.74 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
243+58.74 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 38400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+66.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 38400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+66.84 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+67.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+67.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF irfs3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636a42b2176
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+73.71 грн
2400+63.23 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
264+135.26 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
103+138.92 грн
800+95.52 грн
2400+85.09 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF irfs3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636a42b2176
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
на замовлення 12134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+216.74 грн
10+135.03 грн
50+103.23 грн
100+87.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+294.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
49+294.67 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF irfs3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636a42b2176
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF 1911635.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3607TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 4907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF 1911635.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3607TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 4907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.