IRFS3806TRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 31200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 24.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS3806TRLPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 71W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFS3806TRLPBF за ціною від 32.99 грн до 107.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFS3806TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 13600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFS3806TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 31200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFS3806TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 31200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFS3806TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFS3806TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFS3806TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFS3806TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFS3806TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS3806TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0126 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm |
на замовлення 3103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFS3806TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFS3806TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V |
на замовлення 8480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFS3806TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFS3806TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFS3806TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFS3806TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFS3806TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFS3806TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS3806TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0126 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm |
на замовлення 3103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 31A; Idm: 170A; 71W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD On-state resistance: 15.8mΩ Technology: HEXFET® Drain-source voltage: 60V Drain current: 31A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 71W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 170A кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 31A; Idm: 170A; 71W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD On-state resistance: 15.8mΩ Technology: HEXFET® Drain-source voltage: 60V Drain current: 31A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 71W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 170A |
товар відсутній |