Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS3806TRLPBF

IRFS3806TRLPBF Infineon Technologies

Name: IRFS3806TRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1925396-3
Price: 35584.00 UAH
Availability: InStock

irfs3806pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ace4217a

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V

на замовлення 13600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	44.48 грн
1600+	39.43 грн
2400+	37.70 грн
4000+	33.55 грн
5600+	32.47 грн
8000+	31.42 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRFS3806TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS3806TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFS3806TRLPBF за ціною від 34.07 грн до 142.79 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRFS3806TRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 68800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	48.03 грн
1600+	47.55 грн
2400+	40.32 грн
4000+	38.50 грн
5600+	35.29 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IRFS3806TRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 68800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	48.06 грн
1600+	47.57 грн
2400+	40.34 грн
4000+	38.52 грн
5600+	35.31 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IRFS3806TRLPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRFS3806TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	62.15 грн
500+	50.10 грн
1000+	37.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRFS3806TRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1398 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
195+	71.74 грн
198+	70.83 грн
253+	55.21 грн
256+	52.71 грн
500+	42.84 грн
1000+	39.59 грн

Мінімальне замовлення: 195

В кошику од. на суму грн.

IRFS3806TRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
144+	97.25 грн
200+	69.83 грн
250+	55.87 грн

Мінімальне замовлення: 144

В кошику од. на суму грн.

IRFS3806TRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1398 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	102.24 грн
11+	71.74 грн
25+	70.83 грн
100+	53.24 грн
250+	48.81 грн
500+	41.12 грн
1000+	39.59 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IRFS3806TRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
120+	116.57 грн
126+	111.35 грн
250+	106.89 грн
500+	99.35 грн
1000+	88.99 грн
2500+	82.91 грн

Мінімальне замовлення: 120

В кошику од. на суму грн.

IRFS3806TRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V

на замовлення 14124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	138.47 грн
10+	85.13 грн
100+	57.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRFS3806TRLPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRFS3806TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	140.36 грн
10+	90.87 грн
100+	62.15 грн
500+	50.10 грн
1000+	37.83 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IRFS3806TRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg

на замовлення 8272 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	142.79 грн
10+	89.57 грн
100+	52.36 грн
500+	39.50 грн
800+	34.77 грн
2400+	34.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRFS3806TRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFS3806TRLPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 31A; Idm: 170A; 71W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 170A
Power dissipation: 71W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.