IRFS3806TRLPBF Infineon Technologies


irfs3806pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ace4217a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
на замовлення 13600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+45.08 грн
1600+39.96 грн
2400+38.21 грн
4000+34.01 грн
5600+32.91 грн
8000+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS3806TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS3806TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFS3806TRLPBF за ціною від 34.54 грн до 144.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFS3806TRLPBF IRFS3806TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs3806datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 68800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.68 грн
1600+48.19 грн
2400+40.87 грн
4000+39.02 грн
5600+35.77 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBF IRFS3806TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs3806datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 68800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.71 грн
1600+48.21 грн
2400+40.88 грн
4000+39.04 грн
5600+35.79 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBF IRFS3806TRLPBF INFINEON 44036.pdf Description: INFINEON - IRFS3806TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.99 грн
500+50.78 грн
1000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBF IRFS3806TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs3806datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+72.71 грн
198+71.79 грн
253+55.96 грн
256+53.43 грн
500+43.42 грн
1000+40.13 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBF IRFS3806TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs3806datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+98.57 грн
200+70.77 грн
250+56.63 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBF IRFS3806TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs3806datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.62 грн
11+72.71 грн
25+71.79 грн
100+53.96 грн
250+49.47 грн
500+41.68 грн
1000+40.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBF IRFS3806TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs3806datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+118.15 грн
126+112.86 грн
250+108.34 грн
500+100.70 грн
1000+90.20 грн
2500+84.03 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBF IRFS3806TRLPBF Infineon Technologies irfs3806pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ace4217a Description: MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
на замовлення 14124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.35 грн
10+86.28 грн
100+58.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBF IRFS3806TRLPBF INFINEON 44036.pdf Description: INFINEON - IRFS3806TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.26 грн
10+92.10 грн
100+62.99 грн
500+50.78 грн
1000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBF IRFS3806TRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRFS3806_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
на замовлення 8272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.72 грн
10+90.78 грн
100+53.07 грн
500+40.03 грн
800+35.24 грн
2400+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBF infineonirfs3806datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 68800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+48.68 грн
1600+48.19 грн
2400+40.87 грн
4000+39.02 грн
5600+35.77 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBF infineonirfs3806datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 68800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+48.71 грн
1600+48.21 грн
2400+40.88 грн
4000+39.04 грн
5600+35.79 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBF 44036.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3806TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+62.99 грн
500+50.78 грн
1000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBF infineonirfs3806datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
195+72.71 грн
198+71.79 грн
253+55.96 грн
256+53.43 грн
500+43.42 грн
1000+40.13 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBF infineonirfs3806datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
144+98.57 грн
200+70.77 грн
250+56.63 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBF infineonirfs3806datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+103.62 грн
11+72.71 грн
25+71.79 грн
100+53.96 грн
250+49.47 грн
500+41.68 грн
1000+40.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBF infineonirfs3806datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
120+118.15 грн
126+112.86 грн
250+108.34 грн
500+100.70 грн
1000+90.20 грн
2500+84.03 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBF irfs3806pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ace4217a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
на замовлення 14124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+140.35 грн
10+86.28 грн
100+58.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBF 44036.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3806TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+142.26 грн
10+92.10 грн
100+62.99 грн
500+50.78 грн
1000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBF Infineon_IRFS3806_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
на замовлення 8272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+144.72 грн
10+90.78 грн
100+53.07 грн
500+40.03 грн
800+35.24 грн
2400+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.