Технічний опис IRFS38N20DTRLP Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS38N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFS38N20DTRLP за ціною від 78.85 грн до 304.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 43A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 23200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 16800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 11200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 18400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 16800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 16800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 43A D2PAKInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS38N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC |
на замовлення 1252 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IRFS38N20DTRLP | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS38N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 107.07 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 108.21 грн |
| 4800+ | 78.85 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 110.17 грн |
| 1600+ | 99.15 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 124.22 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 127.28 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 129.79 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 131.28 грн |
| 1600+ | 113.30 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 132.77 грн |
| 1600+ | 128.78 грн |
| 2400+ | 86.56 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 133.14 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 133.42 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 133.93 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 133.93 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 135.17 грн |
| 1600+ | 110.67 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 135.92 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 144.33 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 144.33 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 144.81 грн |
| 2400+ | 140.92 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 146.39 грн |
| 2400+ | 142.47 грн |
| 4800+ | 138.54 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 147.28 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 155.61 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 157.31 грн |
| 4800+ | 143.74 грн |
| 9600+ | 133.75 грн |
| 14400+ | 121.64 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 158.36 грн |
| 1600+ | 131.81 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 165.76 грн |
| 1600+ | 157.12 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 165.97 грн |
| 1600+ | 157.32 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 191.88 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 192.67 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 198.62 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 214.04 грн |
| 10+ | 123.61 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 63+ | 225.04 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 57+ | 249.48 грн |
| 78+ | 183.33 грн |
| 100+ | 177.66 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 279.72 грн |
| 69+ | 207.90 грн |
| 100+ | 202.23 грн |
| 500+ | 154.91 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 304.44 грн |
| 10+ | 192.73 грн |
| 100+ | 135.81 грн |
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS38N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFS38N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
MOSFETs MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS38N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFS38N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)








