Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS4010TRL7PP
IRFS4010TRL7PP

IRFS4010TRL7PP Infineon Technologies

infineon-irfs4010-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+119.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS4010TRL7PP Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4010TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS4010TRL7PP за ціною від 136.46 грн до 404.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS4010TRL7PP IRFS4010TRL7PP Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4010-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+136.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PP IRFS4010TRL7PP Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4010-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+142.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PP IRFS4010TRL7PP Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837669-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4010TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+178.13 грн
250+160.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PP IRFS4010TRL7PP Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4010-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
149+204.89 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PP IRFS4010TRL7PP Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4010-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+213.41 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PP IRFS4010TRL7PP Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837669-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4010TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+359.78 грн
10+267.57 грн
50+229.70 грн
100+178.13 грн
250+160.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PP IRFS4010TRL7PP Виробник : Infineon Technologies irfs4010-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636c33c2185 Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9830 pF @ 50 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+367.57 грн
10+235.46 грн
100+168.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PP IRFS4010TRL7PP Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS4010_7P_DataSheet_v01_01_EN-3363266.pdf MOSFETs MOSFT 100V 190A 4.0mOhm 150nC Qg
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+404.14 грн
10+267.55 грн
100+166.60 грн
250+165.86 грн
500+161.46 грн
800+139.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PP
Код товару: 142952
Додати до обраних Обраний товар

irfs4010-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636c33c2185 Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PP Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs4010-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636c33c2185 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; Idm: 740A; 380W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 740A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PP IRFS4010TRL7PP Виробник : Infineon Technologies irfs4010-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636c33c2185 Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9830 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PP Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs4010-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636c33c2185 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; Idm: 740A; 380W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 740A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.